Development of a Low-energy Flat Plane-emission Panel Device Employing Single-walled Carbon Nanotubes

采用单壁碳纳米管的低能量平面发射面板装置的开发

基本信息

  • 批准号:
    26220104
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 122.97万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-05-30 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Low-power-consumption flat-panel light-emitting device driven by field-emission electron source using high-crystallinity single-walled carbon nanotubes
  • DOI:
    10.7567/jjap.56.065101
  • 发表时间:
    2017-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    N. Shimoi;D. Abe;Kazuyuki Matsumoto;Y. Sato;K. Tohji
  • 通讯作者:
    N. Shimoi;D. Abe;Kazuyuki Matsumoto;Y. Sato;K. Tohji
Fabrication of all-carbon electric field type electron emission devices using metallic or semiconducting single-walled carbon nanotubes and their field emission properties
金属或半导体单壁碳纳米管全碳电场型电子发射器件的制备及其场发射性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akihisa Kuroda;Norihiro Shimoi;Kazuyuki Tohji;Yoshinori Sato
  • 通讯作者:
    Yoshinori Sato
A planar field emission electron source using highly-crystalline single-walled carbon nanotubes in a triode structure with under-gate electrodes
一种采用三极管结构的高结晶单壁碳纳米管的平面场发射电子源,具有栅下电极
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shoichi Kumon;Norihiro Shimoi
  • 通讯作者:
    Norihiro Shimoi
低炭素社会を構築するカーボン素材応用新技術
碳材料新技术应用构建低碳社会
脱フッ素化による窒素含有単層カーボンナノチューブの合成とその電子物性
脱氟合成含氮单壁碳纳米管及其电子性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    横山幸司;横山 俊;佐藤良憲;平野一孝;橋口慎二;本宮憲一;太田裕道;高橋英志;田路和幸;佐藤義倫
  • 通讯作者:
    佐藤義倫
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    1999
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)

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