Control of the electronic phase of transition-metal oxides exhibiting a first-order phase transition
表现出一级相变的过渡金属氧化物的电子相的控制
基本信息
- 批准号：25790051
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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专利数量（0）
Electronic phase control in vanadium dioxide thin films
二氧化钒薄膜的电子相位控制
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Keisuke Shibuya;Jun’ya Tsutsumi;Tatsuo Hasegawa;Akihito Sawa;Keisuke Shibuya
- 通讯作者：Keisuke Shibuya
Fabrication and Raman scattering study of epitaxial VO2 films on MgF2 (001) substrates
- DOI：10.1063/1.4813442
- 发表时间：2013-07
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：K. Shibuya;J. Tsutsumi;T. Hasegawa;A. Sawa
- 通讯作者：K. Shibuya;J. Tsutsumi;T. Hasegawa;A. Sawa
High temperature coefficient of resistance of low-temperature-grown VO2 films on TiO2-buffered SiO2/Si (100) substrates
- DOI：10.1063/1.4927746
- 发表时间：2015-08
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：K. Miyazaki;K. Shibuya;Megumi Suzuki;H. Wado;A. Sawa
- 通讯作者：K. Miyazaki;K. Shibuya;Megumi Suzuki;H. Wado;A. Sawa
Metal-Insulator Transitions in VO2 Epitaxial Thin Films on MgF2 Substrates
MgF2 衬底上 VO2 外延薄膜中的金属-绝缘体转变
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Keisuke Shibuya;Akihito Sawa
- 通讯作者：Akihito Sawa
Optimization of conditions for growth of vanadium dioxide thin films on silicon by pulsed-laser deposition
- DOI：10.1063/1.4934226
- 发表时间：2015-10
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：K. Shibuya;A. Sawa
- 通讯作者：K. Shibuya;A. Sawa
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- 影响因子：0
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Keisuke Shibuya and Akihito Sawa
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Shibuya Keisuke;Ishii Kiyo;Atsumi Yuki;Yoshida Tomoya;Sakakibara Youichi;Mori Masahiko;Sawa Akihito;渋谷圭介;Keisuke Shibuya - 通讯作者：
Keisuke Shibuya
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- 影响因子：3.8
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Shibuya Keisuke;Ishii Kiyo;Atsumi Yuki;Yoshida Tomoya;Sakakibara Youichi;Mori Masahiko;Sawa Akihito;舟木直久;Shuichi Murakami;Tatsuya Miura;Takashi Tanaka and Primoz Ribic - 通讯作者：
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$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
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11J03950 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Fabrication of strongly correlated heterojunctions with vanadium oxides
钒氧化物强相关异质结的制备
- 批准号：
22760016 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)