Fabrication of strongly correlated heterojunctions with vanadium oxides

钒氧化物强相关异质结的制备

• 批准号: 22760016
• 负责人: SHIBUYA Keisuke
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: The Institute of Physical and Chemical Research
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760016/
• 关键词: 二酸化バナジウム; Mott絶縁体; 強相関電子系; ヘテロ接合; 相転移; 遷移金属酸化物

With an aim of application utilizing strongly correlated electron materials, correlated heterojunctions with vanadium oxides were fabricated. Metal-insulator transition of the most prominent feature in vanadium dioxide emerges even at the heterointerface. It was found that work function of vanadium dioxide can be tuned with electron-or hole-doping. Furthermore, it has been demonstrated that the metal-insulator transition can be controlled by external fields such as electric field, light, and pressure.

为了利用强相关电子材料的应用，制备了与钒氧化物的相关异质结。二氧化钒最突出的特征是金属-绝缘体转变，甚至在异质界面处也出现。研究发现，二氧化钒的功函数可以通过电子或空穴掺杂来调节。此外，已经证明金属-绝缘体转变可以通过电场、光和压力等外部场来控制。

项目成果

Phase control of bistable metal-insulator states in VO_2 thin films

VO_2薄膜中双稳态金属-绝缘体态的相位控制

• 发表时间: 2011
• 作者: 平山秀樹;藤川紗千恵;塚田悠介;鎌田憲彦;兵野篤;Keisuke Shibuya
• 通讯作者: Keisuke Shibuya

WドープVO_2薄膜におけるX線誘起構造相転移

W掺杂VO_2薄膜中X射线诱导的结构相变

• 发表时间: 2011
• 作者: 奥山大輔;渋谷圭介;熊井玲児;鈴木健士;北川祐太朗;山崎裕一;中尾裕則;村上洋一;田口康二郎;有馬孝尚;川崎雅司;十倉好紀
• 通讯作者: 十倉好紀

Insulator-metal and structural phase transitions in electron-doped VO_2 film

电子掺杂VO_2薄膜中的绝缘体-金属和结构相变

• 发表时间: 2011
• 作者: 阿部薫明;兵野篤;亘理文夫;米澤徹;前田哲利,藤川紗千恵,平山秀樹;D.Okuyama
• 通讯作者: D.Okuyama

Metal-insulator transition in electron-doped VO_2 thin films

电子掺杂VO_2薄膜中的金属-绝缘体转变

• 发表时间: 2011
• 作者: S. Abe;S. Itoh;D. Hayashi;A. Hyono;T. Akasaka;M. Uo;Y. Yawaka;T. Yonezawa;F. Watari;T. Takada;D.Okuyama
• 通讯作者: D.Okuyama

Electric-field induced 3D carrier delocalization in VO_2

VO_2 中电场引起的 3D 载流子离域

• 发表时间: 2011
• 作者: 平山秀樹;藤川紗千恵;塚田悠介;鎌田憲彦;兵野篤;Keisuke Shibuya;豊田光紀;兵野篤;M.Nakano
• 通讯作者: M.Nakano