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Wafer level integration of nitride semiconductor device and Si CMOS integrated circuit for sensor application
氮化物半导体器件和传感器应用Si CMOS集成电路的晶圆级集成
基本信息
- 批准号：25420330
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence
基于380keV质子注量的两端电阻依赖性的p型和n型GaN质子辐照效应研究
- DOI：10.1587/transele.e97.c.409
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0.5
- 作者：H. Okada;Y. Okada;H. Sekiguchi;A. Wakahara;S. Sato;and T. Ohshima
- 通讯作者：and T. Ohshima
イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製
使用离子注入技术制造平面 GaN-LED
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上月 誠也;土山 和晃;山根 啓輔;関口 寛人;岡田 浩;若原 昭浩
- 通讯作者：若原 昭浩
Proton Irradiation Enhancement of Low-Field Negative Magnetoresistance Sensitivity of AlGaN/GaN-Based Magnetic Sensor at Cryogenic Temperature
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- DOI：10.1109/led.2014.2358613
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：4.9
- 作者：Abdelkader Abderrahmane;Pil Ju Ko;Hiroshi Okada;Shin-Ichiro Sato;Takeshi Ohshima;Adarsh Sandhu
- 通讯作者：Adarsh Sandhu
Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積
使用 Si/SiO2/GaN-LED 结构单片集成 Si-MOSFET 和 LED
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：土山和晃;宇都宮脩;中川翔太;山根啓補;関口寛人;岡田浩;若原昭浩
- 通讯作者：若原昭浩
Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Films Enhanced by Surface-Wave Plasma for GaN Devices
用于 GaN 器件的表面波等离子体增强氮化硅薄膜的化学气相沉积
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Okada;K. Kawakami;T. Shinohara;T. Ishimaru;H. Sekiguchi;A. Wakahara;and M. Furukawa
- 通讯作者：and M. Furukawa
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16K08434 - 财政年份：2016
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$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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25390157 - 财政年份：2013
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$ 3.41万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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$ 3.41万 - 项目类别：
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