Optical functionality of dense excitonic systems in nitride-based deep-ultraviolet ternary alloy semiconductors

氮化物基深紫外三元合金半导体致密激子系统的光学功能

基本信息

  • 批准号:
    25420289
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
AlGaN混晶薄膜の高温PLE測定
AlGaN 混晶薄膜的高温 PLE 测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中尾文哉;長坂智幸;鶴丸拓斗;倉井聡;三宅秀人;平松和政;山田陽一
  • 通讯作者:
    山田陽一
AlGaN系量子井戸構造における局在励起子分子の結合エネルギー
AlGaN量子阱结构中局域激子分子的结合能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    早川裕也;福野智規;倉井聡;三宅秀人;平松和政;山田陽一
  • 通讯作者:
    山田陽一
AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性―
AlGaN量子阱结构中激子分子的结合能 - 与混合晶体势垒层的组成比的关系 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Ichimura;and Y. Maeda;和泉平 福地駿平 中村豪仁 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 通讯作者:
    和泉平 福地駿平 中村豪仁 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性
AlGaN 量子阱中激子结合能的阱宽依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福野智規;中村豪仁;和泉平;倉井聡;三宅秀人;平松和政;山田陽一
  • 通讯作者:
    山田陽一
AlGaN系量子井戸構造の高温PLE測定
AlGaN基量子阱结构的高温PLE测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福野智規;中村豪仁;和泉平;倉井聡;三宅秀人;平松和政;山田陽一
  • 通讯作者:
    山田陽一
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    森山 悟士
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光学系统中储层计算的最新研究现状
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Watanabe Takahiro;Yamada Yoichi;Koide Akihiro;Entani Shiro;Li Songtian;Popov Zakhar I.;Sorokin Pavel B.;Naramoto Hiroshi;Sasaki Masahiro;Amemiya Kenta;Sakai Seiji;内田 淳史
  • 通讯作者:
    内田 淳史
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Takeo Moroi
Direct Visualization of Nearly Free Electron States Formed by Superatom Molecular Orbitals in a Li@C<sub>60</sub> Monolayer
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  • DOI:
    10.1021/acs.jpclett.1c02246
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sumi Naoya;Kuklin Artem V.;Ueno Hiroshi;Okada Hiroshi;Ogawa Tomoyuki;Kawachi Kazuhiko;Kasama Yasuhiko;Sasaki Masahiro;Avramov Pavel V.;?gren Hans;Yamada Yoichi
  • 通讯作者:
    Yamada Yoichi
Planar type electron emission device using atomic layered materials and its applications
使用原子层状材料的平面型电子发射器件及其应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murakami Katsuhisa;Matsumoto Naoyuki;Kameda Yukino;Takao Yoshinori;Neo Yoichiro;Yamada Yoichi;Mitsuishi Kazutaka;Sasaki Masahiro;Mimura Hidenori;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者:
    Nagao Masayoshi

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局域表面等离子体共振引起的电子激发的控制
  • 批准号:
    26248001
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 3.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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