The fabrication of nano-structure by energy-controlled molecular-beam growth

能量控制分子束生长纳米结构的制备

• 批准号: 19560015
• 负责人: OZEKI Masashi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: University of Miyazaki
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560015/
• 关键词: 結晶成長; ナノ構造; 超音速分子線; GaAs; 微細構造; 選択成長; 塩化メチル; ガリウム砒素

The new fabrication technique of the GaAs nano-structure was studied by using the energy-controlled source molecules. The best gallium and arsenic sources for this purpose were triisobutylgallium and trisdimethylaminoarsine, respectively. These molecules were injected onto important crystal surfaces and the growth processes were analyzed. The results suggested that the selective growth toward the some crystal axes could be carried out by controlling the incident direction of the source molecules.

研究了利用能量控制源分子制备GaAs纳米结构的新工艺。用于此目的的最佳镓和砷来源分别是三异丁基镓和三二甲氨基胂。这些分子被注入重要的晶体表面并分析生长过程。结果表明，通过控制源分子的入射方向，可以实现向某些晶轴的选择性生长。

项目成果

Dy n ami c a l b e h a v i o r o f me t h y l-c h l o r i d e o n GaAs ( 0 0 1 )

甲基氯在 GaAs 上的动态行为 (0 0 1 )

• 发表时间: 2009
• 作者: M. Oz e k i; M. Tomi k awa; N. On i t s u k a
• 通讯作者: N. On i t s u k a

Dynamical behavior of methylchloride on GaAs(001)

氯甲烷在GaAs(001)上的动力学行为

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Ozeki

E t c h i n g r e a c t i o n o f me t h y l c h l o r i d e mo l e c u l e o n t h e Ga As ( 0 0 1 )-2 x 4 s u r f a c e

甲基氯分子在 Ga As(0 0 1)-2 x 4 表面上的蚀刻反应

• 发表时间: 2007
• 作者: M. Oz e k i; Y. Iwa s a; Y. S h imi z u
• 通讯作者: Y. S h imi z u

Di s s o c i a t i v e a d s o r p t i o n o f TMA o n Al 2O3

TMA 在 Al 2O3 上的解离吸附

• 发表时间: 2009
• 作者: M. Oz e k i; T. Ha r a g u c h i; K. Hi r a k awa; K. Uwa i
• 通讯作者: K. Uwa i

Surface dynamics of methylchloride on GaAs(00 1)

GaAs(00 1)上氯甲烷的表面动力学

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Ozeki; M. Tomikawa; N. Onitsuka
• 通讯作者: N. Onitsuka