Growth and material applications of narrow-bandgap III-V-N alloy semiconductor quantum nano-structures

窄带隙III-V-N合金半导体量子纳米结构的生长及材料应用

• 批准号: 19360003
• 负责人: ONABE Kentaro
• 金额: $ 11.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360003/
• 关键词: エピタキシャル成長; 希薄窒化物半導体; III-V-N混晶; 量子ナノ構造; 量子ドット; InGaAsN; ジメチルヒドラジン; 自己形成量子ドット; 希薄窒化物

In-containing III-V-N type alloy semiconductors, such as InAsN, InGaAsN, InGaPN and InPN, have been grown by MOVPE in the form of thin films or quantum dots. The growth characteristics and material properties, such as bandgap reduction and luminescence, have been clarified in relation with the N incorporation. In particular, room-temperature photoluminescence of 1.2μm wavelength has been realized with the InAsN quantum dots. A novel potential of III-V-N type alloy semiconductors for useful applications has been demonstrated with this study.

含In的III-V-N型合金半导体，如InAsN、InGaAsN、InGaPN和InPN，已通过MOVPE以薄膜或量子点的形式生长，具有带隙减小和发光等生长特性和材料性能。特别是，利用InAsN量子点实现了1.2μm波长的室温光致发光。这项研究证明了 III-V-N 型合金半导体的有用应用潜力。

项目成果

MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs

InAsN 量子点的 MOVPE 生长和光致发光特性

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Kuboya; S. Takahashi; Q. T. Thieu; F. Nakajima; R. Katayama; K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

通过金属有机气相外延在准晶格匹配 InGaAs 衬底上生长的 InGaAsN 薄膜的结构研究

• 发表时间: 2007
• 作者: P. Kongjaeng; S. Sanorpim; T. Yamamoto; W. Ono; F. Nakajima; R. Katayama; K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長

Ge(001) 衬底上 MOVPE 生长 InGaAsN 薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 菊地健彦; ティユ クァントゥ; 加藤宏盟; 窪谷茂幸; サクンタム サノーピン; 尾鍋研太郎
• 通讯作者: 尾鍋研太郎

InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長

InP(001) 衬底上 InPN 薄膜的 MOVPE 生长

• 发表时间: 2010
• 作者: 関裕紀; 王彦哲; ティユクァントゥ; 窪谷茂幸; サクンタムサノーピン; 尾鍋研太郎
• 通讯作者: 尾鍋研太郎

MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N_2 carrier gas

N_2载气MOVPE生长GaAsN和InAsN薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Kuboya; H. Kato; Q. T. Thieu; R. Katayama; K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe