Three-dimensional distribution control of nitrogen atoms in dilute nitride films using atomic layer epitaxy
利用原子层外延控制稀氮化物薄膜中氮原子的三维分布
基本信息
- 批准号：20K05346
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木 俊作;河野 将大;中島 凌;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中島 凌;河野 将大;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中島 凌;河野 将大;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木 俊作;河野 将大;中島 凌;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木 俊作;河野 将大;中島 凌;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Suzuki Hidetoshi其他文献
Prognostic impact of hospital‐acquired disability in elderly patients with heart failure
医院获得性残疾对老年心力衰竭患者预后的影响
- DOI：
10.1002/ehf2.13356 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Saitoh Masakazu;Takahashi Yuta;Okamura Daisuke;Akiho Mitsutoshi;Suzuki Hidetoshi;Noguchi Naoki;Yamaguchi Yukito;Hori Kentaro;Adachi Yuichi;Takahashi Tetsuya - 通讯作者：
Takahashi Tetsuya
Suzuki Hidetoshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層薄膜のスピン・角度分解光電子分光
过渡金属二硫属化物原子层薄膜的自旋和角分辨光电子能谱
- 批准号：
22KJ0270 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Investigation on aliovalent doping effect in nickelates with infinite structures using epitaxial thin films
利用外延薄膜研究无限结构镍酸盐中的异价掺杂效应
- 批准号：
20H02435 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
二次元ファンデルワールス原子層薄膜における室温強磁性の起源解明
阐明二维范德华原子层薄膜中室温铁磁性的起源
- 批准号：
19J00858 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Spin-resolved ARPES study of atomic-layer transition-metal dichalcogenides
原子层过渡金属二硫属化物的自旋分辨 ARPES 研究
- 批准号：
18J10038 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Low-temperature van der Waals epitaxy using high vapor pressure sources
使用高蒸气压源的低温范德华外延
- 批准号：
18H01822 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)