刷新
Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface
Si(100) 表面磷的电子结构和相互作用的研究
基本信息
- 批准号：24510160
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
STMとDFTによるリン-シリコンヘテロダイマーの研究
STM和DFT研究磷硅异二聚体
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yutaka Noguchi;Hyunsoo Lim;Takashi Isoshima;Eisuke Ito;Masahiko Hara;Whee Won Chin;Jin Wook Han;Hiroumi Kinjo;Yusuke Ozawa;Yasuo Nakayama;and Hisao Ishii;Keisuke Sagisaka;鷺坂恵介
- 通讯作者：鷺坂恵介
STM study of phosphorus on Si(100) surface
Si(100)表面磷的STM研究
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Keisuke Sagisaka;Daisuke Fujita;David Bowler
- 通讯作者：David Bowler
Adsorption of phosphorus molecules evaporated from an InP solid source on the Si(100) surface
从 InP 固体源蒸发的磷分子在 Si(100) 表面上的吸附
- DOI：10.1103/physrevb.87.155316
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：Keisuke Sagisaka;Michael Marz;Daisuke Fujita;and David Bowler
- 通讯作者：and David Bowler
Adsorption of phosphorus on Si(100) studied by STM and DFT
STM 和 DFT 研究磷在 Si(100) 上的吸附
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yutaka Noguchi;Hyunsoo Lim;Takashi Isoshima;Eisuke Ito;Masahiko Hara;Whee Won Chin;Jin Wook Han;Hiroumi Kinjo;Yusuke Ozawa;Yasuo Nakayama;and Hisao Ishii;Keisuke Sagisaka
- 通讯作者：Keisuke Sagisaka
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
SAGISAKA Keisuke其他文献
SAGISAKA Keisuke的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('SAGISAKA Keisuke', 18)}}的其他基金
Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
利用应变场 STM 表征应变石墨烯的电子结构
- 批准号：
17K04985 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Probing a charge state of dopant atoms in silicon surfaces
探测硅表面掺杂剂原子的电荷状态
- 批准号：
21760242 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Toward spin resolved measurement of local density of states by scanning tunneling microscopy
通过扫描隧道显微镜进行局部态密度的自旋分辨测量
- 批准号：
19740185 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
Study of Atomic Trapping Mechanisms on Silicon Surfaces
硅表面原子捕获机制研究
- 批准号：
23K03270 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
In-situ scanning tunneling microscopy of initial formation process of metal silicide
原位扫描隧道显微镜观察金属硅化物的初始形成过程
- 批准号：
24760031 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
シリコン表面上のマンガンとアンチモンの共吸着構造とその表面磁性の研究
硅表面锰、锑共吸附结构及其表面磁性研究
- 批准号：
06J09776 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Nano structure fabrication by Self-assembling ability
通过自组装能力制造纳米结构
- 批准号：
18063015 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Making the well-defined contacts between molecules and substrates in nm scale and their electronic properties
在纳米级分子和基底之间建立明确的接触及其电子特性
- 批准号：
17069009 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas