Making the well-defined contacts between molecules and substrates in nm scale and their electronic properties

在纳米级分子和基底之间建立明确的接触及其电子特性

• 批准号: 17069009
• 负责人: YOSHINOBU Jun
• 金额: $ 70.02万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17069009/
• 关键词: 表面; 分子; 走査トンネル顕微鏡; 電気伝導; 吸着; 光電子分光; 赤外吸収分光; シリコン; アルキル基; 単層膜; STS; トンネル物性; STM; 電子エネルギー損失分光; 走査型トンネル顕微鏡; X線吸収分光; X線発光分光

We have fabricated the well-defined molecule-substrate contact systems in nm scale and investigated the structural and electronic properties. We elucidated the mechanism of cycloaddition of alkene on Si(100)c(4x2). We have characterized the alkyl monolayer attached to the Si(111) surface using infrared absorption spectroscopy and investigated the electron transport properties using a mercury electrode. As a model system for a metal electrode in water, we investigated water adsorption on Rh(111). In addition, we investigated the adsorbed states and electronic properties of DBP-S and F4-TCNQ molecules on Cu(100). The weak interaction between cyclohexane and Rh(111) was studied using infrared absorption spectroscopy and elucidated the softening mechanism of CH stretching vibration.

我们以NM量表制造了定义明确的分子 - 基底接触系统，并研究了结构和电子特性。我们阐明了烷烃在Si（100）C（4x2）上的环加成机理。我们已经表征了使用红外吸收光谱仪连接到Si（111）表面的烷基单层，并使用汞电极研究了电子传输性能。作为水中金属电极的模型系统，我们研究了RH上的水吸附（111）。此外，我们研究了DBP-S和F4-TCNQ分子在Cu上的吸附状态和电子性质（100）。使用红外吸收光谱研究了环己烷与RH（111）之间的弱相互作用，并阐明了CH拉伸振动的软化机理。

项目成果

Adsorption and reaction of NO on the clean and nitrogen modified Rh(111) surfaces

• DOI: 10.1063/1.3212596
• 发表时间: 2009-08-28
• 期刊: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
• 影响因子: 4.4
• 作者: Beniya, Atsushi;Koitaya, Takanori;Yoshinobu, Jun
• 通讯作者: Yoshinobu, Jun

DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化

DBP-S/Cu(100)的吸附状态及取向变化

• 发表时间: 2009
• 作者: 片山哲夫;吉本真也;向井孝三;宮脇淳;高田恭考;辛埴;吉信淳;深澤愛子;山口茂弘
• 通讯作者: 山口茂弘

化学修飾半導体表面に吸着したアクセプター分子の電荷移動(シンポジウム)

吸附在化学改性半导体表面上的受体分子的电荷转移（研讨会）

• 发表时间: 2009
• 作者: T. Tokushima;Y. Horikawa;Y. Harada;O. Takahashi;A. Hiraya;S. Shin;山口茂弘;吉信淳
• 通讯作者: 吉信淳

Direct Observation of Site-specific Valence Electronic Structure at Interface : SiO_2/Si Interface

界面特定位点价电子结构的直接观察：SiO_2/Si界面

• 发表时间: 2006
• 期刊: Phys.Rev.B. 73
• 作者: Y.Yamashita;S.Yamamoto;K.Mukai;J.Yoshinobu;Y.Harada;T.Tokushima;T.Takeuchi;Y.Takata;S.Shin;K.Akagi;S.Tsuneyuki
• 通讯作者: S.Tsuneyuki

遷移金属表面における水の単分子層

过渡金属表面的单层水

• 发表时间: 2007
• 期刊: 真空 50
• 作者: 紅谷篤史;吉信淳
• 通讯作者: 吉信淳