Development of the automatic R&D system for reaction processes

自动R的开发

基本信息

  • 批准号:
    23560919
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this study, we developed the automatic system to model the reaction mechanisms of CVD processes, in order to decrease the labor requirement and increase the speed of R&D in semiconductor industries. We evaluated the various optimization algorithms, which is dominant to the performance of the system, and found the real-coded genetic algorithms as the candidates for the implementation to the system. As a result, we successfully improved both the accuracy and the cost of the calculations of the system. In addition, we proposed and evaluated a mechanism for interlocking the system and a CFD simulator in order to apply the system to the commercial CVD reactor with complex physical and chemical phenomena.
在这项研究中,我们开发了自动系统来对CVD过程的反应机理进行建模,以减少人工需求并提高半导体行业的研发速度。我们评估了各种优化算法,该算法主要是系统的性能,并发现了实际编码的遗传算法作为对系统实施的候选者。结果,我们成功地提高了系统计算的准确性和成本。此外,我们提出并评估了一种连锁系统和CFD模拟器的机制,以便将系统应用于具有复杂物理和化学现象的商业CVD反应器。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GAを用いたCVDの成膜速度分布に関する計算アルゴリズムの開発と評価
使用GA的CVD沉积速率分布计算算法的开发和评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takahiro Takahashi;Ken Kawamura;Kazuya Takahashi and Yoshinori Ema;高橋崇宏,河合晃平,中井寛之,金原宏樹,江間義則;高橋崇宏,河村健,長谷部恭弘,稲垣妙香,高橋和也,江間義則
  • 通讯作者:
    高橋崇宏,河村健,長谷部恭弘,稲垣妙香,高橋和也,江間義則
An Automatic Modeling System for the Reaction Mechanisms of Chemical Vapor Deposition Processes Using Bio-Inspired Algorithms
使用仿生算法的化学气相沉积过程反应机制的自动建模系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takahiro Takahashi;Masamoto Arakawa and Yoshinori Ema
  • 通讯作者:
    Masamoto Arakawa and Yoshinori Ema
実数値遺伝的アルゴリズムを用いたCVD装置における成膜速度分布の計算方法(3)
利用实值遗传算法计算CVD设备沉积速率分布的方法(3)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋崇宏;稲垣妙香;成合真吾;児玉純一;荒川正幹;江間義則
  • 通讯作者:
    江間義則
A Calculation Method of Deposition Profiles in CVD Reactors Using Genetic Algorithms
CVD反应器沉积剖面的遗传算法计算方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Takahashi;K. Kawamura;K. Takahashi and Y. Ema
  • 通讯作者:
    K. Takahashi and Y. Ema
An Automatic Modeling System of the Reaction Mechanisms for Chemical Vapor Deposition Processes Using Real-Coded Genetic Algorithms
使用实数编码遗传算法的化学气相沉积过程反应机理自动建模系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Takahashi;H. Nakai;H. Kinpara;Y. Ema
  • 通讯作者:
    Y. Ema
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