Zinc oxide transparent transistor and its application to stacked image sensor

氧化锌透明晶体管及其在堆叠式图像传感器中的应用

• 批准号: 23560408
• 负责人: FURUTA MAMORU
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Kochi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560408/
• 关键词: 先端機能デバイス; 電子・電気材料; 半導体物性; 酸化物半導体; 透明回路; イメージセンサ; イメージセンサー; 薄膜トランジスタ; デバイスシミュレーション

The aim of this research is to achieve transparent thin-film transistor by using wide-gap oxide semiconductors. Based on the analysis of the influence of lattice defects existing in an oxide semiconductor bulk and at an interface between insulator and oxide semiconductor on electrical properties and reliability of the transistor, we investigated the defect passivation method of oxide semiconductors.As a consequence of this research, transparent thin-film transistor, which was not influenced by visible light irradiation, could be achieved, and the stacked organic image sensor has been successively demonstrated with transparent signal readout circuits.

这项研究的目的是利用宽禁带氧化物半导体实现透明薄膜晶体管。在分析氧化物半导体体中以及绝缘体与氧化物半导体界面处存在的晶格缺陷对晶体管电性能和可靠性的影响的基础上，我们研究了氧化物半导体的缺陷钝化方法。 ，可以实现不受可见光照射影响的透明薄膜晶体管，并且具有透明信号读出电路的堆叠式有机图像传感器已相继被证明。

项目成果

The deterioration phenomenon of amorphous InSnZnO transistors derivered from the process of annealing

非晶InSnZnO晶体管退火过程中的劣化现象

• DOI: 10.1149/2.003312ssl
• 发表时间: 2013
• 期刊: Electrochemical and Solid-State Letters
• 作者: S. Tomai;M. Furuta;他計10名(10番)
• 通讯作者: 他計10名(10番)

Well-arrayed ZnO nanostructure formed by multi-annealing processes at low temperature

低温多次退火工艺形成排列整齐的ZnO纳米结构

• DOI: 10.1002/pssc.201100271
• 发表时间: 2012
• 期刊: physica status solidi (c)
• 作者: D. Wang;Z. Li;T. Kawaharamura;M. Furuta;T. Narusawa;and C. Li
• 通讯作者: and C. Li

Degradation Phenomena in Amorphous Oxide Thin-Film Transistor by Self-Heating Effect

非晶氧化物薄膜晶体管的自热效应退化现象

• 发表时间: 2013
• 作者: Satoshi Urakawa;Shigekazu Tomai;Yoshihiro Ueoka;Haruka Yamazaki;Masashi Kasami;Koki Yano;Dapeng Wang;Mamoru Furuta;Masahiro Horita;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
• 通讯作者: Yukiharu Uraoka

Influence of Front- and Back-Channel Traps on Electrical Properties of Oxide TFTs with Various Channel Thicknesses

前后沟道陷阱对不同沟道厚度氧化物TFT电性能的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Jingxin Jiang;Dapeng Wang;Mamoru Furuta
• 通讯作者: Mamoru Furuta

Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method for Oxide TFTs

基于溶液的氧化物 TFT 常压沉积方法

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Furuta;計3名(1番)
• 通讯作者: 計3名(1番)