Low Power Multivalued Nonvolatile Static Random Access Memory

低功耗多值非易失性静态随机存取存储器

基本信息

批准号：
23560391
负责人：
NAKAYAMA Kazuya
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2013
项目状态：
已结题

项目摘要

I proposed and computationally analyzed a multivalued, nonvolatile SRAM using a ReRAM. Two reference resistors and a programmable resistor are connected to the storage nodes of a standard SRAM cell. The proposed 9T3R MNV-SRAM cell can store 2 bits of memory. In the storing operation, the recall operation and the successive decision operation of whether or not write pulse is required can be performed simultaneously. Therefore, the duration of the decision operation and the circuit are not required when using the proposed scheme. In order to realize a stable recall operation, a certain current (or voltage) is applied to the cell before the power supply is turned on. To investigate the process variation tolerance and the accuracy of programmed resistance, we simulated the effect of variations in the width of the transistor of the proposed MNV-SRAM cell, the resistance of the programmable resistor, and the power supply voltage with 180nm 3.3V CMOS HSPICE device models.

我提出了使用 ReRAM 的多值非易失性 SRAM 并进行了计算分析。两个参考电阻和一个可编程电阻连接到标准 SRAM 单元的存储节点。所提出的 9T3R MNV-SRAM 单元可以存储 2 位存储器。在存储操作中，可以同时执行调用操作和是否需要写入脉冲的连续判定操作。因此，当使用所提出的方案时，不需要决策操作和电路的持续时间。为了实现稳定的召回操作，在打开电源之前向电池施加一定的电流（或电压）。为了研究工艺变化容限和编程电阻的准确性，我们使用 180nm 3.3V CMOS 模拟了所提出的 MNV-SRAM 单元的晶体管宽度、可编程电阻器的电阻以及电源电压变化的影响HSPICE 器件模型。

项目成果

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专利数量（0）

センスアンプを用いたReRAMの書き込み抵抗の制御と多値記録への応用

使用灵敏放大器控制ReRAM写入电阻及其在多值记录中的应用

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
中山和也;半田貴也;申東源;北川章夫
通讯作者：
北川章夫

ReRAM多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術

使用ReRAM多重写入自动避免电路的功耗降低技术

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
中山和也;半田貴也;申東源;北川章夫;B. Gelloz and N. Koshida;半田貴也
通讯作者：
半田貴也

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DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路

使用电压检测放大器的多级 ReRAM 读/写电路

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊部泰貴;中山和也;北川章夫
通讯作者：
北川章夫

Circuit Implementation, Operation, and Simulation of Multivalued Nonvolatile Static Random Access Memory Using a Resistivity Change Device

使用电阻率改变器件的多值非易失性静态随机存取存储器的电路实现、操作和仿真

DOI：
10.1155/2013/839198
发表时间：
2013
期刊：
Active and Passive Electronic Components
影响因子：
0.4
作者：
Kazuya Nakayama;Akio Kitagawa
通讯作者：
Akio Kitagawa

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作者：
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开发用于中微子衰变光子搜索实验的STJ探测器校准的远红外脉冲光源

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
福井大学大学院　工学研究科　研究報告
影响因子：
0
作者：
IMAZAWA Ryota;NAKAYAMA Kazuya;AKIYAMA Tsuyoshi;浅野千紗，坂井誠，中村昂弘，西村航，吉田拓生，小川勇，岡島茂樹，中山和也，武内勇司，武政健一，若狭玲那，加藤幸弘
通讯作者：
浅野千紗，坂井誠，中村昂弘，西村航，吉田拓生，小川勇，岡島茂樹，中山和也，武内勇司，武政健一，若狭玲那，加藤幸弘