Vollständig oxidische Tunnelmagnetowiderstands-Systeme und Einfluss der Grenzflächen auf den Tunnelmagnetowiderstand

全氧化物隧道磁阻系统及界面对隧道磁阻的影响

• 批准号: 5403595
• 负责人: Professor Dr. Konrad Samwer
• 金额: --
• 依托单位: I. Physikalisches Institut - Festkörper- und Tieftemperaturphysik -
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5403595?language=en
• 关键词: Vollst; ndig; oxidische; Tunnelmagnetowiderstands; Systeme

Der Tunnelmagnetowiderstand in Dreifachlagen-Systemen mit zwei magnetischen Elektroden und einer dazwischenliegenden isolierenden Barriere hat aufgrund von Anwendungen als magnetische Speicherzelle bzw. in der Magnetfeldsensorik in letzter Zeit viel Aufsehen erregt. Widerstandsänderungen von bis zu 50 % bei Raumtemperatur wurden beobachtet, wenn die relative Magnetisierungsausrichtung der ferromagnetischen Elektroden von der parallelen zur antiparallelen Orientierung wechselt. Systeme mit metallischen Schichten und einer Oxidbarriere haben aber enorme Probleme bzgl. definierter sowie reproduzierbarer Grenzflächeneigenschaften, bedingt durch Interdiffusion an der Ferromagnet/Isolator-Grenzfläche und durch partielle Oxidation der ferromagnetischen Elektroden. Daher soll in diesem Vorhaben versucht werden, eine vollständig oxidische TMR-Struktur aufzubauen, die Ferromagnet/Isolator-Grenzfläche bzgl. ihrer chemischen Zusammensetzung zu charakterisieren und die lokale Stromdichteverteilung und Spinpolarisation zu messen. Als ferromagnetische Bottom-Elektroden sollen Manganat-, Fe3O4- und CrO2-Dünnschichten verwendet werden, die sich alle als halbmetallische Ferromagnete durch eine sehr hohe Spinpolarisation auszeichnen.

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