Compound Semiconductor Nanowires and their Optical Device Applications

化合物半导体纳米线及其光学器件应用

基本信息

  • 批准号：
    23221007
  • 负责人：
    Fukui Takashi
  • 金额：
    $ 135.78万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份：
    2011
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2011-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Vibrational modes of GaAs hexagonal nanopillar arrays studied with ultrashort optical pulses
  • DOI：
    10.1063/1.3696380
  • 发表时间：
    2012-03
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Hirotaka Sakuma;M. Tomoda;P. Otsuka;O. Matsuda;O. Wright;T. Fukui;K. Tomioka;I. Veres
  • 通讯作者：
    Hirotaka Sakuma;M. Tomoda;P. Otsuka;O. Matsuda;O. Wright;T. Fukui;K. Tomioka;I. Veres
Crystal phase transition to green emission wurtzite AlInP by crystal structure transfer
通过晶体结构转移向绿光发射纤锌矿 AlInP 的晶体相变
  • DOI：
    10.7567/apex.9.035502
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Yoshihiro Hiraya;Fumiya Ishizaka;Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 通讯作者：
    Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
InGaAs axial junction nanowire array solar cells with Sn-doped contact layer
具有掺杂 Sn 接触层的 InGaAs 轴向结纳米线阵列太阳能电池
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Chen;E. Nakai;K. Tomioka;and T.Fukui;福井孝志，吉村正利，中井栄治，冨岡克広;中井　栄治;Eiji Nakai
  • 通讯作者：
    Eiji Nakai
van der Waals Epitaxy of InAs Nanowires Vertically Aligned on Single-Layer Graphene
  • DOI：
    10.1021/nl204109t
  • 发表时间：
    2012-03-01
  • 期刊：
    NANO LETTERS
  • 影响因子：
    10.8
  • 作者：
    Hong, Young Joon;Lee, Wi Hyoung;Fukui, Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui, Takashi
Semiconductor Nanowire and Their Optical Applications, edited by G-C. Yi
半导体纳米线及其光学应用，G-C 编辑。
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tsutaki;S.;S. Sugiyama;D. Sakakibara;T. Sawagaki;and M. Maruyama;高木将樹 ・ 犬飼 学 ・ 神谷 格 ・ 山方　啓;Toshiyuki Kono;Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 通讯作者：
    Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Fukui Takashi其他文献

Optical Parameters of Gas Hydrates for Terahertz Applications
太赫兹应用气体水合物的光学参数
Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes
基于成核过程的纳米线原子薄量子结构的合理合成
  • DOI：
    10.1038/s41598-020-67625-y
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Scientific Reports
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi
Simultaneous Enhancement of Water Vapor and Silicate Dust in the In ner Solar Nebula : Implication for the Small Oxygen Isotopic Variation of Chondrules
内太阳星云中水蒸气和硅酸盐尘埃的同时增强:对球粒氧同位素小变化的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Anggono;T.;Nishimura;T.;Sato;H.;Ueda;H. and Ukawa;M.;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi
InGaAs-InP core?shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor
用于垂直隧道场效应晶体管的InGaAs-InP核壳纳米线/Si结
  • DOI：
    10.1063/5.0014565
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Ishizaka Fumiya;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi
Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure
采用具有核-多壳结构的 InGaAs 纳米线/Si 的垂直栅极全环绕隧道 FET
  • DOI：
    10.1109/iedm13553.2020.9371991
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    IEEE IEDM Technical Digest
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi

Fukui Takashi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

相似海外基金

Robust Artificial Olfactory Sensor with Integrated Molecular Selective Capture and Release Devices
具有集成分子选择性捕获和释放装置的鲁棒人工嗅觉传感器
  • 批准号：
    21K18868
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 135.78万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
GeSn/Ge垂直纳米线的实现及其在下一代晶体管中的应用
  • 批准号：
    20K14796
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 135.78万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
III-As/Sbナノワイヤヘテロ構造選択成長と立体集積回路応用に関する研究
三-As/Sb纳米线异质结构选择性生长及其在三维集成电路中的应用研究
  • 批准号：
    20J20578
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 135.78万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
Si/III-V异质结垂直隧道场效应管及其三维集成电路应用研究
  • 批准号：
    19H02184
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 135.78万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
绝缘基板上硅基纳米线的自下而上生长
  • 批准号：
    17H07351
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 135.78万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了