Control of embedded Si nanocrystals in SiO2 by ion and laser beams
通过离子和激光束控制 SiO2 中嵌入的硅纳米晶体
基本信息
- 批准号：22604002
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this work, the potentialities of excimer UV-light irradiation and rapid thermal annealing to enhance the photoluminescence and to achieve low temperature formation of Si nanocrystals have been investigated. The implanted samples were subsequently irradiated with an excimer-UV lamp. After the process, the samples were rapidly thermal annealed before furnace annealing. We found that the luminescence intensity is strongly enhanced with excimer-UV irradiation and RTA.
在这项工作中，研究了准分子紫外光照射和快速热退火增强光致发光和实现硅纳米晶体低温形成的潜力。随后用准分子紫外灯照射植入的样品。处理后，样品在炉内退火之前进行快速热退火。我们发现，准分子紫外线照射和 RTA 大大增强了发光强度。
项目成果
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Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Lim;YM;Yamasaki;Y.;Tsuda L.;T.S.Iwayama;Tsuda L.;T.S. Iwayama
- 通讯作者：T.S. Iwayama
Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶初始形成过程的影响
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Lim;YM;Yamasaki;Y.;Tsuda L.;T.S.Iwayama
- 通讯作者：T.S.Iwayama
Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence.
通过离子注入在 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA 和 UV 照射对光致发光的影响。
- DOI：10.1016/j.vacuum.2011.12.013
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Y.Oba;M.Ohnuma;S.Ohnuma;M.Furusaka;Lim Young-Mi;T.S.Iwayama
- 通讯作者：T.S.Iwayama
Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals.
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶体初始形成过程的影响。
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.S.Iwayama;H.Watanabe;S.Fukaya,T.Hama and D.E.Hole
- 通讯作者：S.Fukaya,T.Hama and D.E.Hole
Influence of UV irradiation and RTA process on optical properties of Si implanted SiO2.
UV 照射和 RTA 工艺对 Si 注入 SiO2 光学性能的影响。
- DOI：10.1016/j.nimb.2010.05.089
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.S.Iwayama;T.Hama;D.E.Hole
- 通讯作者：D.E.Hole
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