Development of self-cooling device using high conductivity and high thermopower thermoelectric materials

利用高导电率、高热功率热电材料开发自冷却装置

• 批准号: 22560691
• 负责人: NAKATSUGAWA Hiroshi
• 金额: $ 1.91万
• 依托单位: Yokohama National University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560691/
• 关键词: 熱; エネルギー材料; 電子デバイス・機器; 廃熱利用; 熱電変換; ペルチェ冷却; 自己冷却; 熱伝導率; ゼーベック係数; 電気伝導率; 熱電発電

The self-cooling device has been developed by combining the commercial n-channel power MOSFET and single-crystalline Sb doped n-type and/or B doped p-type silicon wafers in order to improve heat removal or cooling. We find for the first time that the average temperature of the upper side on the power MOSFET with the n-type silicon wafer is cooled down about 2℃, in which the electric current of 40A flows from lower to upper direction of the self-cooling device. This certainly warrants future work on the improvement of the measurement condition.

通过将商业N通道功率MOSFET和单晶SB掺杂的N型和/或B掺杂的P型硅振动旋转结合来开发自冷的设备，以改善取水或冷却。我们首次发现，用N型硅摇摆器在功率MOSFET上的平均温度将其冷却约2℃，其中40A的电流从自冷却设备的下方流到上方流动。当然，要确保未来在改善测量条件方面的工作。

项目成果

Self-cooling on power MOSFET using n-type Si wafer

使用 n 型硅片的功率 MOSFET 自冷却

• 发表时间: 2012
• 期刊: 9th European Conference on Thermoelectrics AIP Conference Proceedings
• 作者: H. Nakatsugawa;T. Sato;Y. Okamoto;T.Kawahara;and S.Yamaguchi
• 通讯作者: and S.Yamaguchi

Electric current dependence on self-cooling device consists of silicon wafers connected to power MOSFET

电流依赖于由连接到功率 MOSFET 的硅片组成的自冷却装置

• 发表时间: 2013
• 作者: 中津川博;岡本庸一;Hiroshi Nakatsugawa
• 通讯作者: Hiroshi Nakatsugawa

Application of High-Thermoelectric-Power Materials to Self-Cooling Device

高热电功率材料在自冷装置中的应用

• 发表时间: 2010
• 作者: 中津川博;岡本庸一
• 通讯作者: 岡本庸一

Observation of self-cooling on power MOSFET with silicon wafers using infrared thermography

使用红外热成像技术观察硅片功率 MOSFET 的自冷却

• 发表时间: 2012
• 作者: H. Nakatsugawa;Y. Okamoto;S. Yamaguchi;T. Kawahara
• 通讯作者: T. Kawahara

中津川研究室

中津川研究所