Development of self-cooling device using high conductivity and high thermopower thermoelectric materials
利用高导电率、高热功率热电材料开发自冷却装置
基本信息
- 批准号：22560691
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The self-cooling device has been developed by combining the commercial n-channel power MOSFET and single-crystalline Sb doped n-type and/or B doped p-type silicon wafers in order to improve heat removal or cooling. We find for the first time that the average temperature of the upper side on the power MOSFET with the n-type silicon wafer is cooled down about 2℃, in which the electric current of 40A flows from lower to upper direction of the self-cooling device. This certainly warrants future work on the improvement of the measurement condition.
我们首次发现，该自冷却器件是通过将商用 n 沟道功率 MOSFET 与单晶掺锑 n 型和/或掺硼 p 型硅片相结合而开发的，以改善散热或冷却。 n型硅片功率MOSFET上表面平均温度下降2℃左右的时间，其中40A电流由下向上流过自冷却装置。这无疑保证了未来改进测量条件的工作。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Self-cooling on power MOSFET using n-type Si wafer
使用 n 型硅片的功率 MOSFET 自冷却
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Nakatsugawa;T. Sato;Y. Okamoto;T.Kawahara;and S.Yamaguchi
- 通讯作者：and S.Yamaguchi
Electric current dependence on self-cooling device consists of silicon wafers connected to power MOSFET
电流依赖于由连接到功率 MOSFET 的硅片组成的自冷却装置
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中津川博;岡本庸一;Hiroshi Nakatsugawa
- 通讯作者：Hiroshi Nakatsugawa
Application of High-Thermoelectric-Power Materials to Self-Cooling Device
高热电功率材料在自冷装置中的应用
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中津川博;岡本庸一
- 通讯作者：岡本庸一
Observation of self-cooling on power MOSFET with silicon wafers using infrared thermography
使用红外热成像技术观察硅片功率 MOSFET 的自冷却
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Nakatsugawa;Y. Okamoto;S. Yamaguchi;T. Kawahara
- 通讯作者：T. Kawahara
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