The Development of Mi-cWraove Magnetic Thin Film Materials for theOperating over 20 GHz with InducingGiaonft Uani-axial AnisotropyMagnetic Field

工作频率超过 20 GHz 并诱发超单轴各向异性磁场的微磁磁性薄膜材料的开发

基本信息

  • 批准号:
    22560310
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The micro-wave magnetic thin film materials of CoFeSmB/X for the operating over 20 GHz were researched and developed according to analysis of atomic deposition. A giant uni-axial anisotropy magnetic field of several kOe was induced in accordance with operating over 20 GHz.
根据原子沉积分析,研究开发了工作频率超过20 GHz的微波磁性薄膜材料CoFeSmB/X。当工作频率超过20 GHz时,会产生数kOe的巨大单轴各向异性磁场。

项目成果

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Anisotropically Incident Effect of Sputtering Particles on the High Anisotoropy Field of a CoFe Film in the Carrousel Sputtering Method
卡鲁塞尔溅射法中溅射粒子的各向异性入射对 CoFe 薄膜高各向异性场的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R.Imaizumi;M.Munakata;M.Ohkoshi;K.Maki;S.I.Aoqui
  • 通讯作者:
    S.I.Aoqui
Thin Film Permeability Evalluation Based on Skin Effect Using Meander-Type Probe Up to 10.6 GHz
使用频率高达 10.6 GHz 的曲折型探头进行基于集肤效应的薄膜磁导率评估
カルーセルスパッタ法における異方性入射粒子の形成と堆積に及ぼす下地層の影響
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    野毛悟;宇野武彦;野毛悟,宇野武彦;今泉良一,宗像誠,大越正敏,槙孝一郎
  • 通讯作者:
    今泉良一,宗像誠,大越正敏,槙孝一郎
The Magnetic Integration 〓 An Approach for on-chip micro-devices with utilizing FMR of nano -structured magnetic thin film materials - (強磁性共鳴を利用した磁性薄膜材料からのアプローチ):エネルギーエレクトロニクス研究所報告シンポジウム
磁集成〓 利用纳米结构磁性薄膜材料的FMR实现片上微型器件的方法-(利用铁磁共振的磁性薄膜材料的方法):能源电子研究所报告研讨会
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Nonomura;C.Wen;K.Shirai;K.Isobe;A.Kato;H.Tatsuoka;宗像誠
  • 通讯作者:
    宗像誠
The Magnetic Integration -An Approach for on-chip micro-devices with utilizing FMR of nano -structured magnetic thin film materials - (強磁性共鳴を利用した磁 性薄膜材料からのアプローチ):(
磁集成 -利用纳米结构磁性薄膜材料的 FMR 实现片上微型器件的方法 -
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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