Development ofnovel heterostructure materials for high performance green-range semiconductor laser diodes

高性能绿光半导体激光二极管新型异质结构材料的开发

基本信息

批准号：
22560301
负责人：
NOMURA Ichirou
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

Novel cladding layer materials were developed to realize high-performance green semiconductor laser diodes (LDs). II-VI compound semiconductors on InP substrates and indium tin oxide (ITO) usually used as a transparent electrode were investigated as the cladding layer materials. New LD structures with ITO p-cladding layers wereproposed. From theoretical analysis of the LD structure, it was shown that sufficient optical waveguide could be realized. Deposition conditions of ITO and contact layer materials were investigated, which revealed optimum conditions for high device performances

开发了新型的覆层材料以实现高性能的绿色半导体激光二极管（LDS）。 INP底物上的II-VI化合物半导体和氧化二锡（ITO）通常用作透明电极作为覆层材料。具有ITO p层层的新LD结构已普及。从LD结构的理论分析中，可以证明可以实现足够的光学波导。研究了ITO和接触层材料的沉积条件，这揭示了高设备性能的最佳条件

项目成果

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Development of II-VI Compound Semiconductors on InP Substrates for Green and Yellow Lasers

用于绿光和黄光激光器的 InP 衬底上 II-VI 族化合物半导体的开发

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
S.Mizukami;et al;Ichirou Nomura
通讯作者：
Ichirou Nomura

InP基板上BeZnTe/ZnSeTe超格子擬似混晶の作製と評価

InP衬底上BeZnTe/ZnSeTe超晶格赝混晶的制备与评价

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takayuki Miyamae;Eisuke Ito;Yutaka Noguchi;Hisao Ishii;A. Morita;小林俊輝
通讯作者：
小林俊輝

Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates

InP 衬底上生长的 BeZnSeTe II-VI 化合物四元双异质结构在绿黄范围内的光泵激光特性

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yasuo Nakayama;Yen-Hao Huang;Ching-Hsuan Wei;Takuya Kubo;Shin-ichi Machida;Tun-Wen Pi;S.-J.Tang;Yutaka Noguchi;Hisao Ishii;Ichirou Nomura
通讯作者：
Ichirou Nomura

InP基板上ZnCdSe/BeZnTeタイプII超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価

InP 衬底上 ZnCdSe/BeZnTe II 型超晶格的光致发光发射特性评估