Study of photoconductivity of Ga-doped ZnO thin films
Ga掺杂ZnO薄膜的光电导研究
基本信息
- 批准号：22560027
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Ga doped ZnO thin films and undoped ZnO thin films were evaluated from the out-of-plane XRD measurement, Hall-effect measurement, photo-absorption measurement, and photoconductivity measurement. Improvement of crystallinity improves the response of the optical conductivity, and increase the photoconductivity.
通过面外 XRD 测量、霍尔效应测量、光吸收测量和光电导测量对 Ga 掺杂 ZnO 薄膜和未掺杂 ZnO 薄膜进行了评估。结晶度的改善改善了光电导率的响应，并增加了光电导率。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ga doped ZnO Film CO Gas Sensor Grown by Plasma-Assisted Electron-Beam Deposition
等离子体辅助电子束沉积生长的 Ga 掺杂 ZnO 薄膜 CO 气体传感器
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Seiichi Kishimoto;Chieko Kumamoto,and Tetsuya Yamamoto
- 通讯作者：Chieko Kumamoto,and Tetsuya Yamamoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
KISHIMOTO Seiichi其他文献
KISHIMOTO Seiichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('KISHIMOTO Seiichi', 18)}}的其他基金
Study of ZnS epitaxial layer by triple co-doping method
三重共掺杂法ZnS外延层的研究
- 批准号：
16560286 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of co-doping of Ag and In in ZnS:N/GaAs layers prepared by vapor phase epitaxy
气相外延ZnS:N/GaAs层中Ag和In共掺杂的研究
- 批准号：
13650363 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of Order Sensing System using Quartz-resonators
使用石英谐振器开发阶次传感系统
- 批准号：
08556018 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of Electromagnetic Interference with Medical Engineering Equipment
医疗工程设备电磁干扰研究
- 批准号：
04557118 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
相似国自然基金
层工程诱导的Bi5Ti3FeO15基弛豫铁电薄膜储能特性研究
- 批准号：12364016
- 批准年份：2023
- 资助金额：31 万元
- 项目类别：地区科学基金项目
超声驱动压电薄膜刺激迷走神经治疗自身免疫性心肌炎及机制研究
- 批准号：82302227
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
可控掺杂小带隙硫化铅量子点薄膜及同质结光电二极管研究
- 批准号：62304085
- 批准年份：2023
- 资助金额：10 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
量子点用于钙钛矿薄膜缺陷管理及太阳电池界面调控
- 批准号：22308112
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于胺/硫醇一步溶液法制备多阴离子V-VI-VII硫卤化物薄膜太阳能电池
- 批准号：22309158
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
30K以上の温度域で動作する鉄系超伝導体ベース単一光子検出器の開発
开发出可在30K以上工作温度的铁基超导单光子探测器
- 批准号：
23H01444 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of polymer semiconductors and study of thin film morphology in high-temperature organic devices
聚合物半导体的发展及高温有机器件中薄膜形貌的研究
- 批准号：
22K05047 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
光共振器による量子光学現象を利用したイオン伝導度の向上
使用光学谐振器利用量子光学现象提高离子电导率
- 批准号：
21H01899 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
層状化合物超薄膜のファンデルワースル界面に局在する2次元電子状態と電気伝導特性
超薄层状化合物薄膜范德华界面的二维电子态和电导率
- 批准号：
21K03432 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Exploration of exotic properties in chalcogenide thin films grown by topotactic reactions
探索拓扑反应生长的硫族化物薄膜的奇异特性
- 批准号：
20H01847 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)