Nano-capacitor fabrication process development by using supercritical fluid

利用超临界流体开发纳米电容器制造工艺

基本信息

  • 批准号：
    22360329
  • 负责人：
    SHIMOGAKI Yukihiro
  • 金额：
    $ 12.48万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2010
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2010 至 2012
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Process for nano-capacitors to be used in DRAMs and FeRAMs using supercritical CO2 (scCO2) was developed. Organic metal compounds were dissolved into scCO2 and reacted to form thin films on a heated substrate. This process, Supercritical Fluid Deposition, SCFD, was used to deposit Ru, Pt, and SrRuO3 as an electrode. TiO2, SrTiO3, and BiTiO3 were also deposited as a high-dielectric constant material and ferroelectric material. The developed processes showed excellent step coverage like as the conventional processes of CVD/ALD with lower deposition temperature.
开发了使用超临界二氧化碳（SCCO2）将纳米电容器用于DRAM和FERAM的过程。将有机金属化合物溶解到SCCO2中，并在加热的底物上反应形成薄膜。该过程（超临界流体沉积SCFD）被用来沉积RU，PT和SRRUO3作为电极。 TIO2，SRTIO3和BITIO3也被沉积为高递电恒定材料和铁电材料。开发的过程显示出出色的步骤覆盖范围，例如作为CVD/ALD的常规过程，其沉积温度较低。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Deposition Mechanism of Metal Oxide for FeRAM Electrode using Flow Type Supercritical Fluid Deposition Reactor
使用流动式超临界流体沉积反应器沉积 FeRAM 电极金属氧化物的机理
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kyubong Jung;Yu Zhao;Takeshi Momose;and Yukihiro Shimogaki
  • 通讯作者：
    and Yukihiro Shimogaki
超臨界流体を利用した次世代DRAM用高誘電体薄膜作製プロセスの開発
使用超临界流体开发下一代 DRAM 高介电薄膜制造工艺
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    渡邊圭;百瀬健;霜垣幸浩
  • 通讯作者：
    霜垣幸浩
Step Coverage Quality of Cu Films by Supercritical Fluid Deposition Compared with Chemical Vapor Deposition
超临界流体沉积与化学气相沉积铜膜的阶梯覆盖质量比较
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kenichiro Hirata;Shunsuke Gomi;Yasuhiro Mashiko;Shigeki Nakagawa;Takeshi Momose
  • 通讯作者：
    Takeshi Momose
Initial Cu Growth in Cu-Seeded and Ru-Lined Narrow Trenches for Supercritical Fluid Cu Chemical Deposition
用于超临界流体铜化学沉积的铜籽晶和 Ru 衬里窄沟槽中的初始铜生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
    Jpn.J.Appl.Phys.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    E.Kondoh;M.Matsubara;K.Tamai;Y.Shimogaki
  • 通讯作者：
    Y.Shimogaki
RuO2 Deposition Using Supercritical Fluid Deposition (SCFD)
使用超临界流体沉积 (SCFD) 沉积 RuO2
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kyubong Jung;Takeshi Momose;and Yukihiro Shimogaki
  • 通讯作者：
    and Yukihiro Shimogaki
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

SHIMOGAKI Yukihiro其他文献

SHIMOGAKI Yukihiro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

{{ truncateString('SHIMOGAKI Yukihiro', 18)}}的其他基金

Advanced ULSI multilevel metallization using non-steady state by Flow Modulation technique
采用非稳态流量调制技术的先进 ULSI 多层金属化
  • 批准号：
    11450269
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Research and development of selective area MOVPE process for the fabrication of monolithic OEIC devices
用于制造单片OEIC器件的选区MOVPE工艺的研究和开发
  • 批准号：
    11555002
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似国自然基金

双溶剂型RILMs的构筑及其对有序多孔聚离子液体吸附薄膜的调控合成研究
  • 批准号：
    22308141
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
石墨烯立体多孔薄膜诱导合成非对称结构铂基纳米晶超低铂载量质子交换膜燃料电池电极体系的研究
  • 批准号：
    22379031
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    50 万元
  • 项目类别：
    面上项目
含噻吩结构的本征黑色聚酰亚胺薄膜材料的设计与合成
  • 批准号：
    52303020
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30.00 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
激光辅助合成碳纳米点负载型金属-卟啉框架薄膜及其光限幅性能研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
介孔半导体气敏薄膜的原位组装合成与柔性智能气体传感器的创制
  • 批准号：
    U22A20152
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    255.00 万元
  • 项目类别：
    联合基金项目

相似海外基金

高信頼性ULSI多層配線形成CVDプロセスの開発
开发高可靠性ULSI多层互连CVD工艺
  • 批准号：
    04F04420
  • 财政年份：
    2004
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
MOCVD/ゾルーゲル新規プロセス開発によるFeRAM用のPZT薄膜の合成とその特性
新型MOCVD/溶胶-凝胶工艺合成FeRAM用PZT薄膜及其性能
  • 批准号：
    00F00082
  • 财政年份：
    2000
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
複合アルコキシド法による多成分系強誘電体薄膜の低温製造プロセスの開発
复合醇盐法多元铁电薄膜低温制备工艺开发
  • 批准号：
    11750644
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ゾルゲル法と超音波噴霧法を利用した複合材料薄膜の新規合成プロセスの開発
溶胶凝胶法和超声雾化法复合薄膜合成新工艺的开发
  • 批准号：
    10750507
  • 财政年份：
    1998
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
高純度酸化シリコン薄膜の低温成膜メカニズム解析と室温合成プロセスの開発
高纯氧化硅薄膜低温沉积机理分析及室温合成工艺开发
  • 批准号：
    10750524
  • 财政年份：
    1998
  • 资助金额：
    $ 12.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了