High performance III-V MOSFETs using MOVPE selectively regrown source

使用 MOVPE 选择性再生源的高性能 III-V MOSFET

• 批准号: 21760253
• 负责人: KANAZAWA Toru
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760253/
• 关键词: MOSFET; 高移動度チャネル; III-V族半導体; MOVPE; 電子デバイス・機器; 半導体物性; 結晶成長; 極微細加工プロセス; III-V族化合物半導体; 半導体超微細化

III-V high mobility channels are a promising technology for future logic applications. To enhance the current injection and reduce the series resistance, heavily doped source/drain structures were formed by MOVPE regrowth. The maximum drain current of 1.3 A/mm and transconductance of 0.8 S/mm were obtained for the regrown souce/drain MOSFET with the channel length of 170 nm. The results show that regrown source is an effective way to improve the drain current of III-V MOSFETs.

III-V高移动性渠道是未来逻辑应用的有前途的技术。为了增强当前注入并降低串联电阻，通过Movpe再生形成了大量掺杂的源/排水结构。对于河道长度为170 nm的重型SOUCE/排水MOSFET，获得了1.3 A/mm的最大漏极电流，并获得了0.8 s/mm的跨导率。结果表明，再生源是改善III-V MOSFET的排水电流的有效方法。

项目成果

再成長ソースを有するアンドープチャネルMOSFET

具有再生源的未掺杂沟道 MOSFET

• 发表时间: 2009
• 作者: 若林和也;金澤徹;斎藤尚史;寺尾良輔;田島智宣;宮本恭幸;古屋一仁
• 通讯作者: 古屋一仁

再成長ソースを有するアンドーブチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性

具有再生源的无掺杂沟道InP/InGaAs MOSFET的电流特性

• 发表时间: 2009
• 作者: Akira Tsuchiya;Hidetoshi Onodera;若林和也
• 通讯作者: 若林和也

MOVEP再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET

具有 MOVEP 再生 n^+ 源极的 III-V 高迁移率沟道 MOSFET

• 发表时间: 2009
• 作者: 金澤徹;斎藤尚史;若林和也;寺尾良輔;田島智宣;池田俊介;宮本恭幸;古屋一仁
• 通讯作者: 古屋一仁

Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性

使用Al_2O_3栅绝缘膜的InP/InGaAs沟道n-MOSFET的电特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 寺尾良輔;金澤徹;斎藤尚史;若林和也;池田俊介;宮本恭幸;古屋一仁
• 通讯作者: 古屋一仁

電界効果トランジスタ

场效应晶体管

• 发表时间: 2008