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Synthesis of boron doped diamond under high pressure environment
高压环境下掺硼金刚石的合成
基本信息
- 批准号：21750156
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this study, we adopted the new high-pressure synthetic technique, which carbonate is used as diamond producing catalysts, and achieved to prepare the boron doped superconducting diamond crystal under lower P-T condition reported before. Our sample showed maximum superconducting transition temperature (T_c) at 10.3 K, which is the highest T_c ever reported about high-pressure synthetic diamond.
在这项研究中，我们采用了新的高压合成技术，该技术在较低的P-T条件下报道的碳酸盐用作钻石产生催化剂，并实现了准备硼掺杂的超导钻石晶体。我们的样品在10.3 K时显示出最大的超导过渡温度（T_C），这是有史以来关于高压合成钻石的最高T_C。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの高圧合成III
高压合成硼掺杂超导金刚石III
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山崎祐亮;竹本真;藤原秀紀;松坂裕之;川嶋哲也・室町英治
- 通讯作者：川嶋哲也・室町英治
ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの高圧合成II
高压合成硼掺杂超导金刚石II
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渡邊美穂;堀内裕章;白旗崇;御崎洋二;堀内宏明・眞塩広之・穂坂正博・竹内利行・石田真太郎・久新荘一郎・奥津哲夫・平塚浩士;川嶋哲也・室町英治
- 通讯作者：川嶋哲也・室町英治
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KAWASHIMA Tetsuya其他文献
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