Structural understanding of magnetic superconductor single crystals of rutheno-cuprates opened by precise synthesis by partial melting

通过部分熔融精确合成开启了对钌铜氧化物磁性超导体单晶的结构理解

基本信息

  • 批准号:
    21K04860
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の目的は超伝導と磁性が共存し結晶構造内部に超伝導層(S)/(反)強磁性層(F)/超伝導層(S)が原子層のオーダで積層した接合(SFS接合)を含有する新奇固有ジョセフソン接合として期待されるルテニウム系銅酸化物高温超伝導体「単結晶」を申請者が独自に開発してきた「部分溶融法」により合成すること,特に,化学・物理の2つの圧力効果を積極的に活用した精密合成によって,この系の超伝導転移温度を上昇させることである.今年度は特に物理圧力に注目して実験を進めた.前年度立ち上げたフルテック社製超小型加圧炉FTP-50Kを用いて圧力効果による合成の検証に取り組んだ.その結果,数気圧程度の弱高圧下でRuEu-1222相が分解することが明らかになった.そこで,現在,最も研究の進んでいるRuGd-1212系への展開を検討した.その結果,従来,我々の合成手法においては,30 K程度だった超伝導転移温度のオンセットが圧力効果と焼成温度の最適化によって50 K程度まで上昇することを確認した.これは「我々独自の合成手法である部分溶融法においても,多結晶試料における先行研究と同様に,圧力効果によって,超伝導転移温度が上昇することを実験的に実証した」ことになり非常に大きな進展であった.一方で単結晶粒の大きさに関しては当初数十ミクロン大で従来の先行研究に比べ顕著に小さかったものの,条件の最適化で100ミクロン弱程度まで大型化が可能になってきた.圧力による合成の肯定的な実験結果が徐々に得られる様になっており,今後,より一層の条件の精査を進める.
The purpose of this research is to synthesize the ruthenium-based copper oxide high-temperature superconductor "single crystal," a novel intrinsic Josephson junction that contains a novel intrinsic Josephson junction (SFS junction) in which superconducting and magnetism coexist, and superconducting layers (S) are laminated to the order of atomic layers (SFS junctions), using特别是申请人开发的“部分熔化方法”,旨在通过精确合成,以积极利用两种压力效应,化学和物理学来提高该系统的超导过渡温度。今年,我们特别关注身体压力进行了实验。我们努力使用去年推出的FTP-50K超压缩炉验证合成。结果,据揭示了RUUEU-1222相分解在大约几个ATM的高压下。因此,我们已经检查了RUGD-1212系列的开发,该系列目前是最受研究的系列。结果,我们证实,在我们的合成方法中,由于压力效应和射击温度的优化,超导过渡温度的发作以前约为30 K,已上升至约50 K。这是一个巨大的进步,因为我们在实验上证明,与以前关于多晶样品的研究一样,即使在我们的原始合成方法中,由于压力效应,超导过渡温度也会升高。另一方面,单晶晶粒的大小最初是几十微米的大小,这明显小于以前的研究,但是通过优化条件,大小现已增加到不到100微米。压力合成的积极实验结果将逐渐获得,并将在将来对条件进行进一步研究。

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Researchmap
研究地图
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Preparation of RuEu-1212 and RuEu-1222 Large Single-Crystalline Grains by Partial Melting
部分熔融法制备RuEu-1212和RuEu-1222大单晶颗粒
数気圧下での部分溶融におけるGdSr2RuCu2O8-δ単結晶の合成
几种气氛下部分熔融合成GdSr2RuCu2O8-δ单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 光一;入江 晃亘;八巻 和宏
  • 通讯作者:
    八巻 和宏
Josephson Current Modulation in Hybrid SFS Structures Based on Intrinsic Josephson Junctions
基于本征约瑟夫森结的混合 SFS 结构中的约瑟夫森电流调制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Irie;R. Kimura;and K. Yamaki
  • 通讯作者:
    and K. Yamaki
部分溶融とFZ法によるEuSr2Cu2NbO8-d単結晶の育成
部分熔融FZ法生长EuSr2Cu2NbO8-d单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    目黒晴輝;冨岡凌輔;宮永崇史;鈴木裕史;八巻和宏,谷勝也,入江晃亘
  • 通讯作者:
    八巻和宏,谷勝也,入江晃亘
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

八巻 和宏其他文献

RuO2単結晶の合成とその特性評価
RuO2单晶的合成及其表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八巻 和宏;番場 幸大;入江 晃亘
  • 通讯作者:
    入江 晃亘
Contracted and Expanded Porphyrinoids from Dipyrrin Precursors
来自二吡啉前体的收缩和扩张的卟啉类化合物
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八巻 和宏;茂筑 高士;松下 能孝;入江 晃亘;Ji-Young Shin
  • 通讯作者:
    Ji-Young Shin
Spin-dependent behaviors in Ferromagnet/IntrinsicJosephson junctions/Ferromagnet Hybrids
铁磁体/本征约瑟夫森结/铁磁体混合体中的自旋相关行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八巻 和宏;谷 勝也;入江 晃亘;和田 篤実,八巻 和宏,入江 晃亘;八巻 和宏,茂筑 高士,松下 能孝,北村 通英,入江 晃亘;Akinobu Irie
  • 通讯作者:
    Akinobu Irie
固有ジョセフソン接合スタックアレイの作製
独特的约瑟夫森结堆叠阵列的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八巻 和宏;谷 勝也;入江 晃亘;和田 篤実,八巻 和宏,入江 晃亘
  • 通讯作者:
    和田 篤実,八巻 和宏,入江 晃亘
バイアス電流分布の固有ジョセフソン接合特性に与える影響Ⅱ
偏置电流分布对本征约瑟夫森结特性的影响 II
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八巻 和宏;谷 勝也;入江 晃亘;和田 篤実,八巻 和宏,入江 晃亘;八巻 和宏,茂筑 高士,松下 能孝,北村 通英,入江 晃亘;Akinobu Irie;由利 謙弥,八巻 和宏,入江 晃亘
  • 通讯作者:
    由利 謙弥,八巻 和宏,入江 晃亘

八巻 和宏的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('八巻 和宏', 18)}}的其他基金

高温超伝導体Bi2212を用いたテラヘルツ波の発振機構の解明
利用高温超导体Bi2212阐明太赫兹波振荡机制
  • 批准号:
    09J02162
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似国自然基金

含Re、Ru先进镍基单晶高温合金中TCP相成核—生长机理的原位动态研究
  • 批准号:
    52301178
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
磷酸化和可变剪切修饰影响Bnip3调控线粒体自噬和细胞凋亡的结构及功能研究
  • 批准号:
    31670742
  • 批准年份:
    2016
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
各向同性淬致无序环境中层列型液晶A-C相变
  • 批准号:
    11004241
  • 批准年份:
    2010
  • 资助金额:
    19.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
表观遗传调控蛋白hDPY-30和Ash2L的结构与功能研究
  • 批准号:
    30900230
  • 批准年份:
    2009
  • 资助金额:
    20.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
  • 批准号:
    10774081
  • 批准年份:
    2007
  • 资助金额:
    45.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

Collaborative Research: Topological Defects and Dynamic Motion of Symmetry-breaking Tadpole Particles in Liquid Crystal Medium
合作研究:液晶介质中对称破缺蝌蚪粒子的拓扑缺陷与动态运动
  • 批准号:
    2344489
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Liquid Crystal-Templated Chemical Vapor Polymerization of Complex Nanofiber Networks
合作研究:复杂纳米纤维网络的液晶模板化学气相聚合
  • 批准号:
    2322900
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Standard Grant
過渡吸収顕微分光による単一有機マイクロ結晶の励起子拡散と形状との相関ダイナミクス
使用瞬态吸收显微光谱法研究激子扩散与单个有机微晶形状之间的相关动力学
  • 批准号:
    24K08355
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
転写プリント法を用いたスラブ型単結晶ダイヤモンド光共振器の開発
采用转印法开发平板型单晶金刚石光学腔
  • 批准号:
    24K17579
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明
通过施加电压阐明单晶 Si 和 Ge 的低温变形机制
  • 批准号:
    24K01361
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了