混晶を用いたdHvA効果による強相関f電子系の電子状態に関する研究

利用混合晶体的 dHvA 效应研究强关联 f 电子系统的电子态

基本信息

批准号：
09J04435
负责人：
松本裕司
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

f電子を結晶中にドープするCe_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系のdHvA効果測定を行った。特にCe低濃度領域では、LaRu_2Si_2で観測された全てのフェルミ面の連続的観測に成功した。これらのことよりCe_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系において、Ceのf電子はCe低濃度領域でもフェルミ面に寄与している可能性が高いことを明らかにした。また、不純物近藤効果を引き起こし、最低温度で近藤シングレットを形成しているCe2%の濃度において、降温とともにdHvA周波数が変化していることを観測した。この変化は、降温とともにf電子が局在から遍歴に変化している様子をとらえたものである。この温度によるf電子の状態の変化をdHvA効果測定により初めて観測することに成功した。また、これらのことより、近藤シングレット状態のf電子の状態は、遍歴していることを実験的に初めて明らかにした。その結果は、現在論文投稿予定である。化学的圧力印加の系であるCeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2混晶系において、dHvA信号の観測に成功していて、この系では強磁性から反強磁に基底状態が変化する濃度でf電子は局在から遍歴に変化している可能性が高いことが明らかになった。また、輸送測定を行い、残留抵抗、温度の2乗のA係数、Hall効果が、その濃度で不連続に変化し、電子状態が大きく変化していることを明らかにした。これらの結果は論文投稿中である。

f_xla_ <1-x> ru_2si_2，将F-Electrons涂成晶体，我们测量了混合的DHVA效果。特别是在CE低浓度区域中，在LARU_2SI_2中观察到的所有费米表面都成功地观察了。从这些事实中，在ce_xla_ <1-x> ru_2si_2中，即使在CE低浓度区域中，CE F-电子也可能对费米表面产生贡献。此外，观察到DHVA频率随CE2％的温度而变化，这引起了杂质的杂质效应，并在最低温度下形成了近代单元。此变化表明，随着温度的降低，F-电子从本地化变为行程。首次通过测量DHVA效应成功观察到了由于该温度而导致的F-电子状态的变化。此外，经过实验表明，近藤唱歌状态中的F-电子状态是行程。结果当前计划发布。 CERU_2（si_ <1 -x> ge_x）_2 _2在混合晶体系统中，DHVA信号成功了，在此系统中，基本条件从铁磁特性变为基本条件。从当地变成行程。此外，进行了运输测量，并揭示了残留电阻的A系数，两个平方 - 平方平方的A系数以及HALL效应变为停职，并且电子状态发生了很大变化。这些结果是在论文中。