Investigations of Phase Transition and Ultra-fast Carrier Excitation in Semiconductor by Ultra-short Coherent Light Sources

超短相干光源半导体相变和超快载流子激发研究

基本信息

批准号：
21560762
负责人：
FUJITA Masayuki
金额：
$ 2.91万
依托单位：
Institute for Laser Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560762/
关键词：
結晶・組織制御レーザー加工

项目摘要

Femtosecond laser irradiation near ablation threshold generates periodic structures, which give us clues to understand interactions between materials and coherent light. In these studies, SiC and Al-Si alloy are used as samples. We investigated changes of periodic surface structure, which were influenced by the phase transition of semiconductors and changes of the ablation thresholds and effective optical penetration depths accompanied with carrier excitation.

飞秒激光辐照在消融阈值附近产生周期性结构，这使我们有线索了解材料与相干光之间的相互作用。在这些研究中，SIC和AL-SI合金被用作样品。我们研究了周期性表面结构的变化，这些变化受到半导体的相变和消融阈值的变化以及有效的光穿透性深度以及带有载体激发的有效光渗透深度。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

複合・多層材料のレーザー加工

复合/多层材料的激光加工

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
木村勇次;井上忠信;殷福星;津崎兼彰;熊倉浩明;藤田雅之
通讯作者：
藤田雅之

フェムト秒レーザーが切り開く新しい微細加工技術

飞秒激光器开创的新型微加工技术

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
応用物理
影响因子：
0
作者：
木村勇次・井上忠信;殷福星;津崎兼彰;藤田雅之
通讯作者：
藤田雅之

4H-SiCのフェムト秒ダブルパルスレーザーによる周期構造形成

利用飞秒双脉冲激光形成4H-SiC的周期性结构

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
染川智弘、濱村隆司、藤田雅之;他
通讯作者：
他

レーザープロセシングの現状とこれから

激光加工的现状与未来

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Togano;J. Hur;A. Matsumoto and H. Kumakura;藤田雅之
通讯作者：
藤田雅之

DOI：
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FARRAS Aditya Wildan;HATANAKA Takeshi;NGUYEN Tam W.;FUNADA Riku;YAMAUCHI Junya;FUJITA Masayuki
通讯作者：
FUJITA Masayuki

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FARRAS Aditya Wildan;HATANAKA Takeshi;NGUYEN Tam W.;FUNADA Riku;YAMAUCHI Junya;FUJITA Masayuki;山内淳矢，土井護，伊吹竜也，畑中健志，藤田政之
通讯作者：
山内淳矢，土井護，伊吹竜也，畑中健志，藤田政之