Study of the mechanism of luminescence enhancement in GaN-based semiconductors by water vapor plasma treatment and its application to light emitting devices

水蒸气等离子体处理GaN基半导体发光增强机理及其在发光器件中的应用研究

• 批准号: 21560330
• 负责人: KAMIURA Yoichi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Okayama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560330/
• 关键词: 照明; 白色発光ダイオード; GaN系半導体; 青色発光; プラズマ処理; 発光増大; 水素; 環境保全; InGaN; 水素プラズマ処理; 水蒸気プラズマ処理; 原子状水素; 発光; フォトルミネッセンス; カソードルミネッセンス; AlGaN

In the present study, we have investigated how to enhance the efficiency of blue emission from GaN-based semiconductors, which make the base of white light emission, through an materials approach to aim the application to the highly efficient white-light emitting diodes for lighting. We have attained 10 to 20 times enhancement of blue emission by optimizing the conditions of plasma treatments using various gas species(water vapor, hydrogen, oxygen). We have found that this enhancement is due to the effects of atomic hydrogen, and have presented a new technical trend to develop highly efficient white-light emitting diodes. The present results may contribute to the carbon reduction and preservation of ecological environment of the earth.

在本研究中，我们研究了如何通过材料方法提高作为白光发射基础的GaN基半导体的蓝光发射效率，旨在将其应用于照明用高效白光发光二极管。通过优化使用各种气体（水蒸气、氢气、氧气）的等离子体处理条件，我们已经实现了蓝光发射增强 10 至 20 倍。我们发现这种增强是由于原子氢的影响，并提出了开发高效白光发光二极管的新技术趋势。目前的结果可能有助于减少碳排放和保护地球生态环境。

项目成果

AlGaN発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

水蒸气等离子体处理对AlGaN发光的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 松田洋平;上浦洋一;石山武;山下善文
• 通讯作者: 山下善文

水蒸気プラズマ処理を用いたInGaN発光の増大

使用水蒸气等离子体处理增强 InGaN 发光

• 发表时间: 2010
• 作者: 竹中俊明;上浦洋一;石山武;山下善文
• 通讯作者: 山下善文

Luminescence Enhancement in InGaN and ZnO by Water Vapor Remote Plasma Treatment

通过水蒸气远程等离子体处理增强 InGaN 和 ZnO 的发光

• 发表时间: 2009
• 作者: Y. Kamiura;T. Takenaka;T. Ishiyama;Y. Murakami;C. Takenaka;Y. Yamashita
• 通讯作者: Y. Yamashita

In0.1Ga0.9Nの発光に対するプラズマ処理とアニールの効果

等离子体处理和退火对In0.1Ga0.9N发光的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 藤原翔太;竹中俊明;上浦洋一;石山武;山下善文
• 通讯作者: 山下善文

InGaN発光へのリモートプラズマ処理の影響

远程等离子体处理对 InGaN 发射的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 竹中俊明;上浦洋一;石山武;山下善文
• 通讯作者: 山下善文