Doping of Functional Impurities in Silicon Nanocrystals and Nanowires for Novel Properties

硅纳米晶体和纳米线中功能杂质的掺杂以获得新性能

• 批准号: 21510112
• 负责人: MURAKAMI Kouichi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21510112/
• 关键词: Siナノワイヤ; Siナノ結晶; 界面水素パッシベーション; 不純物ドーピング; 最大固溶度; 酸化と偏析挙動; 新物性; CVD作成法; 酸化に伴う不純物偏析出; 動径方向濃度分布測定; イオン注入; 水素原子処; スピンメモリー効果; 機能性不純物ドーピング; ドナー; イオン注入効果; フォトルミネッセンス; 常磁性の偶奇性; 水素原子処理効果

We have investigated 1)hydrogen (H) passivation of the interfaces of SiO2 and Si crystalline cores in SiNWs and SiNCs, and 2) novel properties for impurity-doped SiNWs and SiNCs. It was found in this study that donor and acceptor impurities with each maximum solubility can be doped in them and show the opposite segregation effects, and novel optical and magnetic properties are demonstrated in H-passivated samples.

我们研究了 1) SiNW 和 SiNC 中 SiO2 和 Si 晶核界面的氢 (H) 钝化，以及 2) 杂质掺杂的 SiNW 和 SiNC 的新特性。研究发现，具有各自最大溶解度的施主和受主杂质可以掺杂在其中，并表现出相反的偏析效应，并且在H钝化样品中表现出新颖的光学和磁性能。

项目成果

Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価

Si纳米线中B受体浓度分布的定量评估

• 发表时间: 2010
• 作者: 滝口亮;石田慎哉;横野茂輝;深田直樹;陳君;関口隆史;村上浩一
• 通讯作者: 村上浩一

Phosphorus ion implantation in silicon nanocrystals embedded in SiO2

• DOI: 10.1063/1.3088871
• 发表时间: 2009-03
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: K. Murakami;Ryota Shirakawa;M. Tsujimura;N. Uchida;N. Fukata;S. Hishita

Siナノワイヤにイオン注入したBの電気の活性化

注入硅纳米线的 B 离子的电激活

• 发表时间: 2009
• 作者: 齋藤直之;石田慎哉;横野茂輝;深田直樹;陣君;関口隆史;菱田俊一;村上浩一
• 通讯作者: 村上浩一

Segregation Behaviors and Radial Distribution of Dopant Atoms in Silicon Nanowires

• DOI: 10.1021/nl103773e
• 发表时间: 2011-02-01
• 期刊: NANO LETTERS
• 影响因子: 10.8
• 作者: Fukata, Naoki;Ishida, Shinya;Murakami, Kouichi
• 通讯作者: Murakami, Kouichi

Isotope Effect of Penetration of Hydrogen and Deuterium into Silicon through Si/SiO_2 Interface

氢、氘通过Si/SiO_2界面渗入硅的同位素效应

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. 48
• 作者: Kouichi Murakami;et al.
• 通讯作者: et al.