Preparation of CuInS_2 films by reactive-sputtering alternately Cu- and In-facing-targets

铜靶与内靶交替反应溅射制备CuInS_2薄膜

• 批准号: 20560292
• 负责人: TSUBOI Nozomu
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Niigata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560292/
• 关键词: 薄膜太陽電池; カルコパイライト; スパッタ法; 硫化銅インジウム; 太陽電池; 薄膜; 化合物半導体; 多元系

CuInS_2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited by sputtering alternatively Cu- and In-facing-targets under Ar-diluted CS_2 atmosphere. Composition of the films corresponded to the (Cu_xS)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3) system line. Stoichiometric CuInS_2 films exhibited the absorption-edge corresponding to the energy-gap of CuInS_2. In CuInS_2 epitaxial films by multisource evaporation method, lattice strain as well as the [Cu]/[In] ratio was considered to be related with growth mechanism.

Cuins_2具有各种[Cu]/[in]比率的膜是通过在ARDILED的CS_2大气下溅射的Cu-和focing式靶标的沉积的。膜的组成对应于（Cu_xs） - （Cuins_2） - （Cuin_5S_8） - （IN_2S_3）系统行。化学计量cuins_2膜表现出与Cuins_2的能量间隙相对应的吸收边缘。在Cuins_2通过多源蒸发方法的外延膜中，晶格菌株以及[Cu]/[in]比率被认为与生长机制有关。

项目成果

反応性スパッタ法によるCuINS_2膜における基板温度および反応性ガス供給方法に対する特性変化

反应溅射法CuINS_2薄膜的特性随基板温度和反应气体供给方式的变化

• 发表时间: 2011
• 作者: 川田孝平;坪井望
• 通讯作者: 坪井望

異なる反応性ガス供給条件下でのCuとInの交互スパッタによるCuInS_2薄膜の作製

不同反应供气条件下Cu和In交替溅射制备CuInS_2薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 山口拓也;坪井望;大石耕一郎;金子双男;小林敏志
• 通讯作者: 小林敏志

Epitaxial Growth of Chalcopyrite CuInS_2 Films on GaP(001), 16th Int.Conf.

GaP(001) 上黄铜矿 CuInS_2 薄膜的外延生长，第 16 届国际会议。

• 发表时间: 2008
• 作者: R.M.Vequizo;N.Tsuboi;S.Kobayashi;K.Oishi;F.Kaneko
• 通讯作者: F.Kaneko

反応性交互スパッタ法によるMo薄膜上へのCuInS_2薄膜作製の試み

反应交替溅射法在Mo薄膜上制备CuInS_2薄膜的尝试

• 发表时间: 2010
• 作者: 須田朗弘;坪井望;金子双男
• 通讯作者: 金子双男

CuInS_2 エピタキシャル薄膜の結晶構造と格子歪みの評価

CuInS_2外延薄膜晶体结构和晶格应变的评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 田母神崇;坪井望;大石耕一郎;金子双男;小林敏志
• 通讯作者: 小林敏志