Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal

GaN 基异质结构场效应晶体管（尤其是 InGaN 沟道）生产的建模、仿真和优化

基本信息

批准号：
5372728
负责人：
Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
金额：
--
依托单位：
Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen (EBS)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
起止时间：
1996-12-31 至 2003-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372728?language=en
关键词：
Modellierung Simulation und Optimierung der

项目摘要

Das Ziel dieses Vorhabens ist es, durch systematische Variation und Optimierung kanaldotierter AlGaN/GaN-HFET-Strukturen und AlGaN/GaN-Strukturen, bei denen die Piezoladung dominiert, hohe Stromdichten und Durchbruchsspannungen, bei gleichzeitiger Temperaturstabilität, zu erzielen. Mit der Erhöhung des AlGehaltes in der Barriere soll der Einfluß der Piezoladung im Kanal und deren Gegenladung an der Oberfläche durch elektrische Charakterisierung bestimmt werden, insbesondere das dynamische Verhalten im Temperaturbereich bis 400°C. Des weiteren sollen Bauelemente mit InGaN-Kanal und einer AlGaN-Barriere mit hohem Al-Gehalt untersucht werden. Eine AlN-Barriere soll eine Verbesserung der Gate-Diodeneigenschaften bewirken. Die Möglichkeit durch Oxidation von AlN-Barrieren zu Al2O3 soll zur Abschätzung dienen, ob MOS-Bauelemente möglich sind. Passivierungsversuche mit verlustbehafteten Dieelektrika, wie DLC oder Si3N4, auf GaN-Heterobauelementen sollen durchgeführt und deren Einfluß auf die Großsignaldispesion untersucht werden. Als Studie sind Abscheideexperimente von Diamant und DLC für Passivierung und Wärmesenke auf der Oberseite von strukturierten GaN-Heterobauelementen sowie auf der Rückseite von freistehenden GaN-Substraten vorgesehen.

Algan/gan-hfet-strukturen，Algan/Gan-strukturen，Algan-Hfet-strukturen，Algan-Strukturen，Algan-Strukturen，Algan-Strukturen，Algan-Strukturen，Algan-Strukturen，Algan-Strukturen of Algehaltes in the Algehalters in the Algehalters的爆炸在世界上，以及我们能做的最好的事情，但是我们迫不及待地想找到最好的能力，我们迫不及待地想找到最好的能力，但是我们迫不及待地想找到最好的能力。我们迫不及待想找到最好的能力，但是我们迫不及待地想找到最好的能力，我们迫不及待地想找到最好的能力。 Al2O3 Soll Zur ZurAbschätzungDienen，Ob Mos-BauelementeMöglichSind。 Passivierungsungsuche Mit Verlustbehafteten Dieelektrika，Wie DLC Oder Si3n4，Auf Gan-Heterobauelementen sollenderchgeggeführtundeneinflußAufauf auf auf die die diegroßsignaldisignAldIsignAldIsignaldispesigionUntersucht werden untersucht werden。 Als Studie Sind AbscheideExperimente von diamant und dlcfürpassivierung undwärmesenkeauf der oberseite von strukturierten gan-Heterobauelementen sowieen sowieen sowie auf derrückseitevon freistehenden gan-subsubstraten vorgestraten vorgestraten vorgesehen。