High-quality single-crystal growth and the research of the electronic state of the filled-skutterudite compounds

填充方钴矿化合物的高质量单晶生长及电子态研究

• 批准号: 20540358
• 负责人: SUGAWARA Hitoshi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20540358/
• 关键词: 物性実験; 強相関電子系; 低温物性; 磁性; 超伝導; 低温特性; 熱電材料

In this research, I have grown highr-quality single-crystals of the filled-skutterudites RT_4X_<12>(R=rare earth, T=Fe, Ru, Os, X=P, As, Sb) and the cage-structure compounds RT_2Al_<10> by using the flux-method and the high-pressure synthesis, and studied the electronic states by using the resistivity, magnetization, specific heat and the de Haas-van Alphen effect etc. As the result, we heve gained new information about the uncoventional magnetism and superconductivity in these compounds.

在这项研究中，我已经成长了填充的skutterudites rt_4x_ <12>（r =稀土，t = fe，t = fe，ru，os，x = p，as，sb）的高质量单晶（r =稀土，t = fe，t = fe，r = rt_2al_2al_ <10>。 Haas-van alphen效应等。结果，我们获得了有关这些化合物中不概述的磁性和超导性的新信息。

项目成果

SmOs_4P_12のドハース・ファンアルフェン効果

SmOs_4P_12 的德哈斯-范阿尔芬效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 田中修平;迫田将仁;菅原仁;摂待力生;大貫惇睦
• 通讯作者: 大貫惇睦

Heat capacity measurement of SmOs_4Sb_12 under high pressure

SmOs_4Sb_12高压热容测量

• 发表时间: 2010
• 作者: T.C.Kobayashi;Y.Kawasaki;K.Miyazawa;Y.Ikeda;S.Araki;H.Kotegawa;H.Sugawara;D.Kikuchi;H.Sato
• 通讯作者: H.Sato

Temperature evolution of crystal field splitting in PrOs_4P_12

PrOs_4P_12 中晶体场分裂的温度演化

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Iwasa;K.Saito;Y.Murakami;H.Sugawara
• 通讯作者: H.Sugawara

高圧合成により作製された高充填率CeFe_4Sb_12の電子輸送特性

高压合成高填充率CeFe_4Sb_12的电子输运性能

• 发表时间: 2008
• 作者: 菅原仁;齊藤隆志;龍岡翔;田中謙弥;佐藤英行;Gerald Giester,Peter Rogl
• 通讯作者: Gerald Giester,Peter Rogl

HANDBOOK OF MAGNETIC MATERIALS, VOLUME 18, Chapter 1, Magnetic Properties of Filled Skutterudites

磁性材料手册，第 18 卷，第 1 章，填充方钴矿的磁性

• 发表时间: 2009
• 作者: H.Sato;et al.
• 通讯作者: et al.