Research of single mode semiconductor membrane laser on SOI waveguide

SOI波导单模半导体薄膜激光器研究

基本信息

项目摘要

チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。
为了在芯片之间执行光学互连，有必要将电子设备和光学设备集成在芯片中，并且为此目的迫切需要技术开发。进行了这项研究是为了制造单模半导体激光器，适用于直接粘贴IIII-V化合物半导体（GAINASP/INP），用于在硅LSI上集成，该激光已被证明是半导体激光，直接在SOI底物上。结果，在SOI底物的光激发期间，进行了单模振荡和高温（80°C）的操作，并且还对当前的注射结构进行了原型型，以实现LED和激光振荡。

项目成果

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Evaluation of Si wire waveguide fabricated by parallel plate RIE process using double layered EB resist containing C60
使用含有 C60 的双层 EB 抗蚀剂通过平行板 RIE 工艺制造的硅线波导的评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Inoue;N. Nishiyama;H. Enomoto;S. Tamura;T. Maruyama and S. Arai
  • 通讯作者：
    T. Maruyama and S. Arai
Micro-photoluminescence characterizations of GaInAsP/InP single quantum wires fabricated by dry etching and regrowth
干法刻蚀再生长GaInAsP/InP单量子线的微光致发光表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2007
  • 期刊：
    J. Appl. Phys. vol. 102, no. 9
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Itoh;M. Yoshita;H. Akiyama;D. Plumwongrot;T. Maruyama and S. Arai
  • 通讯作者：
    T. Maruyama and S. Arai
直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFBレーザ
采用直接附着法在 SOI 衬底上注入型 GaInAsP/InP DFB 激光器
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    奥村忠嗣;丸山武男;米澤英徳;西山伸彦;荒井滋久
  • 通讯作者：
    荒井滋久
Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths
RIE 诱导损伤对两步生长 GaInAsP/InP MQW 激光器激光性能的观察
  • DOI：
  • 发表时间：
    2007
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    D. Plumwongrot;M. Kurokawa;T. Okumura;Y. Nishimoto;T. Maruyama;N. Nishiyama;and S. Arai
  • 通讯作者：
    and S. Arai
Inproved Temperature Dependence of GaInAsP/InP DFB Lasers with Wirelike Active Regions by Bragg Wavelength Detuning
通过布拉格波长失谐改善具有线状有源区域的 GaInAsP/InP DFB 激光器的温度依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2007
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Okumura;T. Maruyama;M. Kanemaru;S. Sakamoto;S. Tamura;and S. Arai;T.Okumura;D.Plumwongrot
  • 通讯作者：
    D.Plumwongrot
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