UHV in-situ and Cs-corrected HR(S)TEM Studies of structures and growth process of Ge nanodots formed on faintly oxidized Si surfaces

微氧化硅表面Ge纳米点的结构和生长过程的特高压原位和Cs校正HR(S)TEM研究

• 批准号: 19560023
• 负责人: TANAKA Nobuo
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560023/
• 关键词: 電子顕微鏡; HR-profile TEM; HAADF-STEM; Geナノドット; 極薄Si酸化膜; 臨界核サイズ; 構造安定モデル

本研究では、実空間かつ原子レベルでその場観察できるUHV in-situ HR-profile TEM(UHV in-situ high-resolution transmission electron microscopy in the profile-imaging geometry)と、試料の原子コラムレベル毎の組成分析や原子コラム位置を直視観察できるHAADF-STEM(high angle annular dark field-scanning resolution transmission electron microscopy)を用いて、Si基板に形成した極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの形成過程と、GeナノドットとSi界面近傍における微細構造、および原子拡散現象などを詳細に評価した。その結果、本系におけるGeナノドット成長様式およびGeナノドット直下にGe-rich layerの存在する新しい構造モデルを提案することができた

在这项研究中，我们将使用UHV原位HR剖面TEM（剖面成像几何中的UHV原位高分辨率透射电子显微镜），它可以在真实空间中进行原子水平的原位观察，并且样品每个原子柱的组成。HAADF-STEM（高角度环形暗场扫描分辨率透射电子）利用显微镜，我们详细评估了在硅衬底上形成的超薄硅氧化膜上Ge纳米点的形成过程、Ge纳米点与Si之间界面附近的微观结构以及原子扩散现象。因此，我们能够提出该系统中的Ge纳米点生长模式以及一种新的结构模型，其中富Ge层直接存在于Ge纳米点下方。

项目成果

UHV in-situとCs corrected HRMEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長、および微細構造の評価

使用 UHV 原位和 Cs 校正 HRMEM 评估超薄 Si 氧化物薄膜上 Ge 纳米点的成核、生长和微观结构

• 发表时间: 2007
• 期刊: 日本結晶成長学会誌 34
• 作者: 趙星彪;川野晋司;齋藤晃;山崎順;田中信夫
• 通讯作者: 田中信夫

極薄酸化膜付きSi上に成長するGe量子ドットに含まれる歪分布の定量的評価

超薄氧化膜硅上生长的Ge量子点应变分布的定量评估

• 发表时间: 2008
• 作者: 藤林裕明;趙星彪;田中信夫
• 通讯作者: 田中信夫

極薄Si酸化膜付Si上に成長するGeナノドツトに含まれる歪み分布の定量的な評価

硅超薄氧化膜上生长的Ge纳米点应变分布的定量评估

• 发表时间: 2008
• 作者: 藤林裕明;趙星彪;田中信夫
• 通讯作者: 田中信夫

Cs-corrected STEM Studies of Ge Nanodots Grown on Slightly Oxidized Si(111) Surfaces

在轻微氧化的 Si(111) 表面上生长的 Ge 纳米点的 Cs 校正 STEM 研究

• 发表时间: 2008
• 作者: N Tanaka;S-P Cho;A A Shklyaev;J Yamasaki;E Okunishi and M Ichikawa
• 通讯作者: E Okunishi and M Ichikawa

極薄Si酸化膜を用いたSi(001)表面上のGeナノドットの微細構造および組成の評価

利用超薄 Si 氧化膜评估 Si(001) 表面 Ge 纳米点的微观结构和成分

• 发表时间: 2007
• 作者: 趙星彪;Alexander A Shklyaev;山崎順;奥西栄治;市川昌和;田中信夫
• 通讯作者: 田中信夫