Kondo effect and spin manipulation in quantum dot complex systems

量子点复杂系统中的近藤效应和自旋操纵

• 批准号: 19540345
• 负责人: ETO Mikio
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19540345/
• 关键词: メゾスコピック系・局在; 量子ドット; 近藤効果; スピン軌道相互作用; スポン軌道相互作用; フピンホール効果; アハロノフ・ボーム効果; スピンバルブ; トンネル磁気抵抗; スピンエレクトロニクス; メゾスコピック系; 物性理論; 量子情報処理; 量子輸送現像; 量子輸送現象

Quantum dots, boxes of nanometer scale fabricated on semiconductors, are often called artificial atoms. Artificial atoms with spin 1/2 show the Kondo effect as magnetic impurities in metals. In this project, the Kondo effect has been theoretically examined in a small ring with an embedded quantum dot, coupled quantum dots or artificial molecules, quantum dot in the presence of strong spin-orbit interaction, etc. In consequence, new physics has been revealed in this many-body problem. Spin manipulation in semiconductor nano-structures such as artificial atoms is an important issue for the application to quantum computers and spintronics. We have developed the fundamental researches for the spin injection and tunnel magnetoresistance.

在半导体上制造的量子点，纳米尺度的盒子通常称为人造原子。具有自旋1/2的人工原子显示围绕金属的磁杂质。在这个项目中，理论上已经在一个带有嵌入式量子点，耦合量子点或人工分子的小环中检查了近核效应，在存在较强的自旋轨道相互作用等的情况下，量子点。半导体纳米结构（例如人造原子）中的自旋操作是量子计算机和旋转型物种应用的重要问题。我们已经开发了用于自旋注射和隧道磁力耐药的基本研究。

项目成果

アハロノフ・ボーム効果と近藤効果の競合:近藤効果の磁束依存性

阿哈罗诺夫-玻姆效应和近藤效应之间的竞争：近藤效应的磁通量依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 吉井涼輔;江藤幹雄
• 通讯作者: 江藤幹雄

Scaling study of Kondo effect in a quantum dot embedded in an Aharonov-Bohm interferometer

嵌入阿哈罗诺夫-玻姆干涉仪的量子点中近藤效应的尺度研究

• 发表时间: 2010
• 作者: R. Yoshii;M. Eto
• 通讯作者: M. Eto

Spin injection using semiconductor nanostructures with spin-orbit interaction (招待講演)

使用具有自旋轨道相互作用的半导体纳米结构进行自旋注入（特邀演讲）

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Eto;T. Yokoyama;H. Sato;M. Eto;S. Raymond;M. Eto
• 通讯作者: M. Eto

ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性

AB 环中嵌入量子点的近藤效应中环尺寸的依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 吉井涼輔;江藤幹雄
• 通讯作者: 江藤幹雄

多端子デバイス中のアンチドットによる共鳴スピンホール効果

多端器件中的解点引起的谐振自旋霍尔效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 横山知大;江藤幹雄
• 通讯作者: 江藤幹雄