高温超伝導体の混合状態における量子化磁束のダイナミクス

高温超导体混合态中量子化磁通量的动力学

基本信息

批准号：
08650385
负责人：
藤吉孝則
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Kumamoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

YBa_2Cu_3O_<7-δ>エピタキシャル薄膜に光を照射してその応答を測定した.この光応答にはボロメトリック効果によるものと非ボロメトリック効果によるものとがあり,これらを分離した.超伝導転移温度近傍の温度領域では光応答はほとんどボロメトリック効果によるものであるが,低温の領域では非ボロメトリック効果による応答が見られた.この温度領域は磁束クリープ領域と一致しており,また,磁界増加とともに非ボロメトリック効果にる応答が大きくなることから,光により量子化磁束の運動が励起されていると結論される.つぎに,光照射下の電流電圧特性の温度磁界依存性を測定した.光を照射すると磁束状態遷移温度付近で電流電圧特性が大きく変化し,また光によりスケーリングパラメータが変化することを見いだした.これは光によりピンポテンシャルの強度分布に変化が起こることを示している.量子化磁束のミクロなホッピング過程をモデル化して,磁化緩和現象の計算機シミュレーションを行った.ピンポテンシャル分布を導入することにより従来の磁束クリープモデルでは説明不可能であった電圧電流特性を得た.量子化磁束間の相互作用,ピンポテンシャルの分布により電流電圧特性が変化することを示した.また,ピンの空間的は位置を操作することにより,弱いピン止めの場合も量子化磁束の運動の抑制が可能であることを示した.また,量子化磁束のホッピング運動に対してホッピングの待ち時間関数をもしいた理論解析を行い,理論的に電圧電流特性を導いた.

用光照射YBa_2Cu_3O_<7-δ>外延薄膜并测量其响应。光响应分为两种类型：一种是由于辐射热效应引起的，一种是由于非辐射热效应引起的。超导转变温度在附近的温度范围内，光响应主要是由于辐射热效应，但在低温范围内，观察到非辐射热效应引起的响应。该温度区域与磁通量蠕变区域一致，并且由于非测辐射热效应引起的响应随着磁场的增加而增加，因此得出结论，量子化磁通量的运动是由光激发的。光照射下电流-电压特性对温度和磁场的依赖性。当光照射时，电流-电压特性在磁通状态转变温度附近发生显着变化，光引起我们发现环参数发生变化，这表明引脚电位的强度分布因光而变化。我们对量子化磁通量的微观跳跃过程进行了建模，并通过引入引脚电位分布对磁化弛豫现象进行了计算机模拟。我们获得了使用传统磁通蠕变模型无法解释的电压-电流特性。结果表明，电流-电压特性的变化取决于量子化磁通量和引脚电势分布之间的相互作用。此外，通过操纵引脚的空间位置，即使在我们还利用跳跃潜伏函数对量子化磁通量的跳跃运动进行了理论分析，并从理论上推导了电压-电流特性。