Development of high temperature a scanning Hall probe microscope incorporating a Hall probe fabricated using gallium nitride heterostructures
开发包含使用氮化镓异质结构制造的霍尔探针的高温扫描霍尔探针显微镜
基本信息
- 批准号：19360139
- 负责人：
- 金额：$ 11.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
高温における強磁性体の磁区構造の観察を目的とし、高温走査型ホールプローブ顕微鏡(High Temperature Scanning Hall Probe Microscopy, HT-SHPM)用プローブを作製した。高温観測のためのプローブにAl 組成比、Siドープの有無など構造の異なるAlGaN/GaNの温度特性を調べ、感磁部の大きさが2μm×2μmであるホールプローブを作製した。作製したプローブの電気特性を評価し、ホール係数は25℃で0.0077Ω/G、400℃においては0.0046Ω/Gという結果を得た。また、HT-SHPMを用いて100℃以上における強磁性体ガーネット薄膜の磁区観察、外部磁界印加時の磁区観察に成功した。
为了观察高温下铁磁材料的磁畴结构，制作了高温扫描霍尔探针显微镜（HT-SHPM）探针。我们研究了不同结构的AlGaN/GaN的温度特性，例如Al成分比和Si掺杂的有无，用于高温观察探针，并制作了磁敏部分尺寸为2μm x 2μm的霍尔探针。我们评估了所制作探针的电性能，发现霍尔系数在25℃时为0.0077Ω/G，在400℃时为0.0046Ω/G。此外，使用HT-SHPM，我们成功地观察了在100°C以上的温度和施加外部磁场时铁磁石榴石薄膜的磁畴。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Contact mode scanning Hall probe microscopy
接触式扫描霍尔探针显微镜
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Ohashi;H. Osawa;A. Sandhu
- 通讯作者：A. Sandhu
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