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Development of X-ray scattering measurement system for in-situ observations of semiconductor crystalline growth
半导体晶体生长原位观测X射线散射测量系统的开发
基本信息
- 批准号：19360006
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
究極の半導体デバイス開発に必要な、1原子層の精度で界面を評価するX線CTR散乱測定の新しい測定系の開発を行った.固定された試料結晶が焦点に来るように集光されたX 線源と2次元の検出器を組み合わせることで、1) 実験室レベルのX 線源で実現可能、2) 可動部を不要、3) 他の装置等との組み合わせ可能、などの様々な利点を持つ測定系が構築でき、従来のより大型の装置と遜色のない性能をえた.
我们已经开发了一种用于X射线CTR散射测量的新测量系统，该系统以一个原子层的准确性评估界面，这对于最终的半导体设备开发是必需的。通过将集中的X射线源相结合，使固定的样品晶体焦点和二维探测器，我们已经能够构建具有各种优势的测量系统，例如1）可以通过实验室级X射线源，2）无运动零件来实现它，并且可以与其他设备相结合，从而使其与较大的设备相比，可以与其他设备进行比较。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface
X射线CTR散射测量研究InP/GaInAs界面的形成过程
- DOI：10.1088/1742-6596/83/1/012031
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tabuchi;A. Mori;Y. Ohtake;and Y. Takeda
- 通讯作者：and Y. Takeda
成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析
X射线CTR散射法分析生长温度和生长速率对InP/GaInAs界面的影响
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：為岡博;森晶子;田渕雅夫;竹田美和
- 通讯作者：竹田美和
Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement
X射线CTR散射测量分析生长速率和温度对InP/GaInAs界面结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Tameoka;A. Mori;M. Tabuchi;and Y. Takeda
- 通讯作者：and Y. Takeda
X-ray CTR scattering, measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces
X 射线 CTR 散射，使用传统 X 射线源进行测量以研究半导体异质界面
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Maeda;M. TabucM;Y. TaKeda
- 通讯作者：Y. TaKeda
Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE
OMVPE 生长的 GaInAs 层上 InP 中 As 的分布机制
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tabuchi;Y. Ohtake;A. Mori;and Y. Takeda
- 通讯作者：and Y. Takeda
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TABUCHI Masao其他文献
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Distributions of impurity atoms in semiconductors analyzed by X-ray CTR scattering measurement
通过 X 射线 CTR 散射测量分析半导体中杂质原子的分布
- 批准号：
14550007 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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