High efficiency chemical machining process for wide bandgap semiconductor substrate

宽带隙半导体衬底高效化学加工工艺

• 批准号: 18686014
• 负责人: SANO Yasuhisa
• 金额: $ 16.89万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686014/
• 关键词: 炭化ケイ素; PCVM; 大気圧プラズマ; べベル加工; 薄化; SiC; プラズマCVM; エッチング; ワイドギャップ半導体

ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，作为下一代节能功率器件的基材而受到关注，但由于其硬度以及热稳定性和化学稳定性，人们正在寻求有效的加工方法。在本研究中，我们将使用大气压等离子体的化学汽化加工（PCVM）应用于SiC加工，明确了加工特性的温度依赖性，并对SiC晶片的外周进行斜角加工（倒角），并研究了该方法的应用。及其在减薄背面方面的应用，并阐明了其潜力。

项目成果

Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Carbide

硅和碳化物等离子化学汽化加工的温度依赖性

• 发表时间: 2007
• 作者: Y. Sano;M. Watanabe;T. Kato;K. Yamamura;H. Mimura;and K. Yamauchi;佐野泰久
• 通讯作者: 佐野泰久

PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハの薄化

使用 PCVM（等离子体化学汽化加工）减薄 SiC 晶圆

• 发表时间: 2007
• 作者: 加藤武寛;佐野泰久;堀勉;原 英之;山村和也;三村秀和;勝山義昭;山内和人
• 通讯作者: 山内和人

Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining

等离子化学气化加工碳化硅的抛光特性

• 发表时间: 2006
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45
• 作者: Y. Sano;M. Watanabe;K. Yamamura;K. Yamauchi;T. Ishida;K. Arima;A. Kubota and Y. Mori
• 通讯作者: A. Kubota and Y. Mori

SBDのI-V測定によるSiC加工表面の結晶性評価

通过 SBD I-V 测量评估 SiC 加工表面的结晶度

• 发表时间: 2008
• 作者: 白沢佑樹;佐野泰久;岡本武志;山内和人
• 通讯作者: 山内和人

PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハのベベル加工

使用 PCVM（等离子体化学汽化加工）对 SiC 晶圆进行斜角加工

• 发表时间: 2007
• 作者: 加藤武寛;佐野泰久;原 英之;三村秀和;山村和也; 山内和人
• 通讯作者: 山内和人