High efficiency chemical thinning and dicing process for SiC semiconductor substrate

SiC半导体衬底的高效化学减薄和切割工艺

• 批准号: 21246027
• 负责人: SANO Yasuhisa
• 金额: $ 27.71万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009-04-01 至 2013-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246027/
• 关键词: 特殊加工; 炭化ケイ素; 薄化; ダイシング; 大気圧プラズマ; PCVM; SiC; 無歪

Silicon carbide (SiC) is a promising semiconductor material for energy-saving power devices. However, because of its high hardness and brittleness, few conventional machining methods can handle this material efficiently. A plasma chemical vaporization machining (PCVM) technique, which is plasma etching using atmospheric-pressure plasma, has been considered for thinning and dicing process of SiC substrates by using the newly-developed PCVM apparatus. As a result of thinning experiments, a maximum removal rate of 500 nm/min was obtained over the entire 2-inch 4H-SiC (0001) wafer. And as a result of basic cutting experiments, a maximum removal rate of more than 0.01 mm/min with a groove width of less than 0.2 mm was successfully achieved.

碳化硅（SIC）是一种有希望的半导体材料，用于节能动力设备。但是，由于其高硬度和脆弱性，很少有传统的加工方法能有效地处理该材料。血浆化学汽化加工（PCVM）技术是使用大气压等离子体蚀刻等离子体的，已考虑使用新开发的PCVM设备，用于SIC底物的稀疏和划分过程。由于实验变薄，在整个2英寸4H-SIC（0001）晶片中获得了500 nm/min的最大去除率。由于基本切割实验，成功实现了凹槽宽度小于0.2 mm的最大去除率超过0.01 mm/min。

项目成果

Thinning of SiC Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.857
• 发表时间: 2010-04
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: Y. Sano;Takehiro Kato;Tsutomu Hori;K. Yamamura;H. Mimura;Y. Katsuyama;K. Yamauchi

Thinning of 2-inch SiC Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining Using Cylindrical Rotary Electrode

圆柱形旋转电极等离子体化学气化加工2英寸SiC晶圆减薄

• 发表时间: 2011
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: Yusuke Ohashi;Yusuke Suzuki;Masato Ohnishi;Ken Suzuki;Hideo Miura;Yasuhisa Sano
• 通讯作者: Yasuhisa Sano

Thinning of a Two-Inch Silicon Carbide Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining Using a Slit Electrode

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.750
• 发表时间: 2014-02
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: Yu Okada;H. Nishikawa;Y. Sano;K. Yamamura;K. Yamauchi

PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiC基板の切断加工の検討 -シャドウマスクを用いた切断加工の基礎検討-

使用PCVM（等离子化学气相加工）切割SiC基板的研究 -使用荫罩切割的基础研究-

• 发表时间: 2010
• 作者: 森本健太;菊池将悟;前田就彦;山口智広;名西〓之;平社航;西川央明
• 通讯作者: 西川央明

PCVM による2 インチSiC 基板の薄化-スリット電極の検討-

利用PCVM实现2英寸SiC基板的薄化-狭缝电极的研究-

• 发表时间: 2012
• 作者: M.Rekharsky;Y.Inoue;西川央明
• 通讯作者: 西川央明