強磁性半導体ヘテロ構造-物性制御と応用
铁磁半导体异质结构——性能控制与应用
基本信息
- 批准号：07F07105
- 负责人：
- 金额：$ 1.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
前年度に引き続き、3元および4元混晶のIII-V磁性半導体とヘテロ構造の形成と制御およびその応用につき、以下の研究を行った。1.3元混晶(GaMn)As,4元混晶(GaInMn)As磁性半導体、MnデルタドープGaAsの磁気特性(保持力、残留磁化、飽和磁化、磁気抵抗、ホール抵抗など)の最適化と制御の研究を行った。2.上記磁性半導体を含むヘテロ構造を作製した。3.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造については、強磁性とともに大きな磁気光学効果を示すことがわかった。そのスペクトル、磁場依存性の詳細な評価と解析を行った。4.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造の断面TEMによる詳細な構造評価を行い、閃亜鉛鉱型半導体構造を保っていることがわかった。5.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造のプレーナホール効果と磁気異方性を明らかにした。
延续去年，我们针对三元、四元混晶III-V族磁性半导体、异质结构的形成与控制及其应用进行了以下研究。 1、三元混晶（GaMn）As、四元混晶（GaInMn）As磁性半导体、Mn δ磁性能（矫顽力、剩磁、饱和磁化强度、磁阻、霍尔电阻等）优化与控制研究我做到了。 2.制作包含上述磁性半导体的异质结构。 3.Mnδ掺杂GaAs及其异质结构被发现表现出巨大的磁光效应以及铁磁性。我们对其频谱和磁场依赖性进行了详细的评估和分析。 4. 使用截面 TEM 对 Mn δ 掺杂 GaAs 及其异质结构进行详细结构评估，结果表明它保持闪锌矿半导体结构。 5.阐明了Mnδ掺杂GaAs及其异质结构的平面霍尔效应和磁各向异性。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Strong In-plane Uniaxial Magnetic Anisotropy of [(InyGal-y) 1-xMnx] As Characterized by Planar Hall Effect
以平面霍尔效应为特征的 [(InyGal-y) 1-xMnx] 强面内单轴磁各向异性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Yokoyama;S. Ohya;M. Tanaka
- 通讯作者：M. Tanaka
Strong Magnetic Circular Dichroism in Mn Delta-doped GaAs
Mn Delta 掺杂 GaAs 的强磁圆二色性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ahsan M. Nazmul;Sanjukta Ghosh;Masaaki Tanaka
- 通讯作者：Masaaki Tanaka
Planar Hall effect and uniaxial in-plane magnetic anisotropy in a Mn delta-doped GaAs/p-AlGaAs heterostructure
Mn δ 掺杂 GaAs/p-AlGaAs 异质结构中的平面霍尔效应和单轴面内磁各向异性
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. M. Nazmul;H. T. Lin;S. N. Tran;S. Ohya;M. Tanaka
- 通讯作者：M. Tanaka
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
田中 雅明其他文献
中性子科学の将来にむけて
迈向中子科学的未来
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
小林 正起;木内 久雄;丹羽 秀治;宮脇 淳;藤森 淳;Le Duc Anh;Pham Nam Hai;田中 雅明;尾嶋正治;原田慈久;藤田全基 - 通讯作者：
藤田全基
Siへのスピン注入におけるトンネルスピン分極率の温度依存性の解析
自旋注入硅过程中隧道自旋极化率的温度依赖性分析
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
岡本祥太;佐藤彰一;田中 雅明;中根了昌 - 通讯作者：
中根了昌
Fe/MgO/Fe/γ-Al2O3/Nb:SrTiO3からなるフルエピタキシャル二重障壁磁気トンネル接合における大きなトンネル磁気抵抗効果
Fe/MgO/Fe/γ-Al2O3/Nb:SrTiO3全外延双势垒磁隧道结的大隧道磁阻效应
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
鈴木 亮太;但野 由梨子;田中 雅明;大矢 忍 - 通讯作者：
大矢 忍
半導体からのキャリア注入による強磁性量子井戸におけるトンネルキャリアのスピン分極率の変調
通过半导体载流子注入调制铁磁量子阱中隧道载流子的自旋极化率
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
芦原 渉;若林 勇希;岡本浩平;田中 雅明;大矢 忍 - 通讯作者：
大矢 忍
GaMnAsにおける強磁性転移に伴う価電子帯と不純物帯の分離
GaMnAs 中铁磁转变导致价带和杂质带分离
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
宗田 伊理也;大矢 忍;田中 雅明 - 通讯作者：
田中 雅明
田中 雅明的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('田中 雅明', 18)}}的其他基金
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
基于半导体的拓扑超导自旋电子学：创建下一代量子信息基础设施
- 批准号：
23K17324 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Manipulation of spin-orbit torque in a spin-orbit ferromagnet single layer for future spin devices
用于未来自旋器件的自旋轨道铁磁体单层中的自旋轨道扭矩的操纵
- 批准号：
20F20366 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Creation of New Spin-Functional Materials and Devices by Renaissance of Ferromagnetic Semiconductors
通过铁磁半导体的复兴创造新的自旋功能材料和器件
- 批准号：
20H05650 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ＦｅベースＩＩＩ－Ｖ族強磁性半導体によるスピントロニクス材料とデバイスの研究
Fe基III-V铁磁半导体自旋电子材料与器件研究
- 批准号：
15F15362 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用
磁/半导体混合纳米结构中的自旋相关现象和器件应用
- 批准号：
23241044 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
スピン依存共鳴トンネル伝導現象とデバイスの研究
自旋相关共振隧道现象及器件研究
- 批准号：
17656104 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
電子スピントロニクスデバイス研究調整班
电子自旋电子器件研究协调组
- 批准号：
14076101 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体トンネル磁気抵抗デバイスの基礎研究
半导体隧道磁阻器件基础研究
- 批准号：
14655115 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ErAs/III-V半導体量子ヘテロ構造におけるトンネル現象の解明と負性抵抗デバイス
阐明 ErAs/III-V 半导体量子异质结构和负阻器件中的隧道现象
- 批准号：
12875058 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ErAs/III-V量子ヘテロ構造における電子伝導と負性抵抗デバイスへの応用
ErAs/III-V量子异质结构中的电子传导及其在负阻器件中的应用
- 批准号：
10875067 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
相似海外基金
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
基于半导体的拓扑超导自旋电子学：创建下一代量子信息基础设施
- 批准号：
23K17324 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Creation of New Spin-Functional Materials and Devices by Renaissance of Ferromagnetic Semiconductors
通过铁磁半导体的复兴创造新的自旋功能材料和器件
- 批准号：
20H05650 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Innovative and highly efficient spin-current control by ultra-high quality-heteroepitaxial-growth technology
通过超高质量异质外延生长技术实现创新高效的自旋电流控制
- 批准号：
18H03860 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Developing and Applications of Spintronics Materials by Growing Narrow-Gap Ferromagnetic Semiconductors
生长窄带隙铁磁半导体的自旋电子学材料的开发与应用
- 批准号：
20K20361 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Spin-related Properties of Ferromagnet/Semiconductor Hybrid Structures and Their Application to Low-power Functional Devices
铁磁体/半导体混合结构的自旋相关特性及其在低功耗功能器件中的应用
- 批准号：
16H02095 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 1.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)