電子スピントロニクスデバイス研究調整班
电子自旋电子器件研究协调组
基本信息
- 批准号:14076101
- 负责人:
- 金额:$ 9.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2005
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
平成17度には、前年に引き続きこれまでに開発したさまざまなスピントロニクス材料を用いて、スピンの生成、トンネル効果による輸送、注入に関する研究を行い、機能としては記憶と計測(+論理演算)を行う下記デバイスの調査研究、分析と研究開発を行った。8月に行われた国際会議(Spintech III)に関連して第1線で活躍中の外国人研究者を招聘し、研究討論を行った。次の項目に関し成果のとりまとめを行った。1月末に年度末成果報告会および公開シンポジウムを開催した。(1)強磁性トンネル接合デバイス・半導体と整合性のよいフルエピタキシャル強磁性トンネル接合の作製とTMRデバイス(田中)・スイッチイング機能付きMRAM素子(猪俣、田中)・共鳴トンネル型TMRデバイス(田中、山田)(2)磁性グラニュラー構造デバイス・磁気抵抗スイッチ効果の解明と高感度磁気センサへの応用(秋永)・半導体/強磁性金属グラニュラー構造の作製と磁気輸送特性の解明(田中)(3)スピンFETおよびスピンMOSFETの試作と動作原理の実証・半導体チャネル中へのスピン注入と伝導、スピンの検出(山田、田中)
2005年,继前一年的基础上,我们将利用迄今为止开发的各种自旋电子材料,对自旋产生、隧道传输和注入进行研究,功能将是存储和测量(+逻辑运算)。 ,以及以下设备的研发。结合8月召开的国际会议(Spintech III),我们邀请了活跃在一线的外国研究人员并进行了研究讨论。结果总结如下。 1月底召开年终业绩报告会暨公开座谈会。 (1) 铁磁隧道结器件 - 具有良好半导体兼容性的全外延铁磁隧道结和TMR器件的制造(田中) - 具有开关功能的MRAM元件(Inomata,田中) - 谐振隧道型TMR器件(田中,山田)(2)磁性颗粒结构装置/磁性电阻开关效应的阐明及其在高灵敏度磁传感器中的应用(Akinaga) - 半导体/铁磁金属颗粒结构的制造和磁传输特性的阐明(Tanaka)(3)自旋 FET 和自旋 MOSFET 的原型制作和演示工作原理・自旋注入和传导到半导体通道以及自旋检测(山田、田中)
项目成果
期刊论文数量(47)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
N.Tezuka, N.Koike, K.Inomata, S.Sugimoto: "Single domain observation for synthetic antiferromagnetically coupled bots with low aspect ratios"Applied Physics Letters. 82. 604-606 (2003)
N.Tezuka、N.Koike、K.Inomata、S.Sugimoto:“低纵横比合成反铁磁耦合机器人的单域观察”应用物理快报。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Sugahara, M.Tanaka: "Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs/AlAs/MnAs Magnetic Tunnel Junctions on Exact (lll)B GaAs Substrates : the Effect of a Ultrathin GaAs Buffer Layer"Journal of Crystal Growth. 251. 317-322 (2003)
S.Sugahara、M.Tanaka:“精确 (III)B GaAs 衬底上 MnAs/AlAs/MnAs 磁隧道结的外延生长和磁性特性:超薄 GaAs 缓冲层的影响”晶体生长杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Tanaka, Y.Higo: "Tunneling magnetoresistance in GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferromagnetic semiconductor heterostructures"Physica E. Vol.13. 495-503 (2002)
M.Tanaka、Y.Higo:“GaMnAs/AlAs/GaMnAs 铁磁半导体异质结构中的隧道磁阻”Physica E. Vol.13。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Shimizu, M.Tanaka: "Quantum size effect and ferromagnetic ordering in ultrathin GaMnAs/AlAs heterostructures"Journal of Applied Physics. Vol.91. 7487-7489 (2002)
H.Shimizu、M.Tanaka:“超薄 GaMnAs/AlAs 异质结构中的量子尺寸效应和铁磁排序”应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping
Mn Delta 掺杂 GaAs 基异质结构中的高温铁磁性
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.M.Nazmul;T.Amemiya;Y.Shuto;S.Sugahara;M.Tanaka
- 通讯作者:M.Tanaka
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田中 雅明其他文献
中性子科学の将来にむけて
迈向中子科学的未来
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
小林 正起;木内 久雄;丹羽 秀治;宮脇 淳;藤森 淳;Le Duc Anh;Pham Nam Hai;田中 雅明;尾嶋正治;原田慈久;藤田全基 - 通讯作者:
藤田全基
Siへのスピン注入におけるトンネルスピン分極率の温度依存性の解析
自旋注入硅过程中隧道自旋极化率的温度依赖性分析
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
岡本祥太;佐藤彰一;田中 雅明;中根了昌 - 通讯作者:
中根了昌
Fe/MgO/Fe/γ-Al2O3/Nb:SrTiO3からなるフルエピタキシャル二重障壁磁気トンネル接合における大きなトンネル磁気抵抗効果
Fe/MgO/Fe/γ-Al2O3/Nb:SrTiO3全外延双势垒磁隧道结的大隧道磁阻效应
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
鈴木 亮太;但野 由梨子;田中 雅明;大矢 忍 - 通讯作者:
大矢 忍
半導体からのキャリア注入による強磁性量子井戸におけるトンネルキャリアのスピン分極率の変調
通过半导体载流子注入调制铁磁量子阱中隧道载流子的自旋极化率
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
芦原 渉;若林 勇希;岡本浩平;田中 雅明;大矢 忍 - 通讯作者:
大矢 忍
GaMnAsにおける強磁性転移に伴う価電子帯と不純物帯の分離
GaMnAs 中铁磁转变导致价带和杂质带分离
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宗田 伊理也;大矢 忍;田中 雅明 - 通讯作者:
田中 雅明
田中 雅明的其他文献
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{{ truncateString('田中 雅明', 18)}}的其他基金
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
基于半导体的拓扑超导自旋电子学:创建下一代量子信息基础设施
- 批准号:
23K17324 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Manipulation of spin-orbit torque in a spin-orbit ferromagnet single layer for future spin devices
用于未来自旋器件的自旋轨道铁磁体单层中的自旋轨道扭矩的操纵
- 批准号:
20F20366 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Creation of New Spin-Functional Materials and Devices by Renaissance of Ferromagnetic Semiconductors
通过铁磁半导体的复兴创造新的自旋功能材料和器件
- 批准号:
20H05650 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
FeベースIII-V族強磁性半導体によるスピントロニクス材料とデバイスの研究
Fe基III-V铁磁半导体自旋电子材料与器件研究
- 批准号:
15F15362 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用
磁/半导体混合纳米结构中的自旋相关现象和器件应用
- 批准号:
23241044 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
強磁性半導体ヘテロ構造-物性制御と応用
铁磁半导体异质结构——性能控制与应用
- 批准号:
07F07105 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピン依存共鳴トンネル伝導現象とデバイスの研究
自旋相关共振隧道现象及器件研究
- 批准号:
17656104 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
半導体トンネル磁気抵抗デバイスの基礎研究
半导体隧道磁阻器件基础研究
- 批准号:
14655115 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ErAs/III-V半導体量子ヘテロ構造におけるトンネル現象の解明と負性抵抗デバイス
阐明 ErAs/III-V 半导体量子异质结构和负阻器件中的隧道现象
- 批准号:
12875058 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ErAs/III-V量子ヘテロ構造における電子伝導と負性抵抗デバイスへの応用
ErAs/III-V量子异质结构中的电子传导及其在负阻器件中的应用
- 批准号:
10875067 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
相似海外基金
Developing and Applications of Spintronics Materials by Growing Narrow-Gap Ferromagnetic Semiconductors
生长窄带隙铁磁半导体的自旋电子学材料的开发与应用
- 批准号:
20K20361 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Novel Nano-electronics based on Strongly Correlated Oxides
基于强相关氧化物的新型纳米电子学
- 批准号:
21676001 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
Development of an ultimate SQUID and its device application
终极SQUID的开发及其装置应用
- 批准号:
20221007 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Reconfigurable Nano-Spin Devices
可重构纳米自旋器件
- 批准号:
18106007 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
半導体トンネル磁気抵抗デバイスの基礎研究
半导体隧道磁阻器件基础研究
- 批准号:
14655115 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 9.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research