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Study on quaternary GaN-based optoelectronic devices on large diameter Si substrate
大直径Si衬底上四元GaN基光电器件研究
基本信息
- 批准号：18360169
- 负责人：
- 金额：$ 10.59万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
高温成長させてAlGaN/AlN中間層と歪超格子を用いてSi基板上に高品質のGaN層を総膜厚6μmまで成長できた。AlN/Siの界面における伝導帯のバンド不連続と価電子帯のバンド不連続はそれぞれ2.3±0.4eV、2.8±0.4eVと求められた。発光波長310nm付近のInAlGaN量子井戸構造を作製した。InAlGaN/GaN HEMTではしきい値電圧が0.21Vのノーマリオフ特性が得られた。
通过使用Algan/Aln Interlayer和高温下的紧张的超晶格，可以将高质量的GAN层在SI基板上生长至SI基板的总厚度为6μm。在ALN/SI界面的价带中的导条和带不连续性中的带不连续性分别为2.3±0.4EV和2.8±0.4EV。制造了一个发射波长约为310 nm的Inalgan量子井结构。 inalgan/gan Hemts具有正常的特性，阈值电压为0.21V。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Material Characterization of Lattice-Matched InAlN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Heterostructures
- DOI：10.1143/apex.1.081102
- 发表时间：2008-07
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：M. Miyoshi;Y. Kuraoka;Mitsuhiro Tanaka;T. Egawa
- 通讯作者：M. Miyoshi;Y. Kuraoka;Mitsuhiro Tanaka;T. Egawa
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- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Selvaraj;et al.
- 通讯作者：et al.
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- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
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- 通讯作者：M. Miyoshi and M. Tanaka
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- 期刊：
- 影响因子：0
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- 通讯作者：H.Ishikawa
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- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Ito;M. Yoshikawa;A. Watanabe andT. Egawa
- 通讯作者：A. Watanabe andT. Egawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
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