CMOSサブスレッショルド特性を利用したスマートセンサLSIの開拓
利用CMOS亚阈值特性开发智能传感器LSI
基本信息
- 批准号:17760266
- 负责人:
- 金额:$ 2.3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2005
- 资助国家:日本
- 起止时间:2005 至 2006
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、近い将来に実現されるユビキタス情報環境社会に向けたスマートセンサLSIシステムの基盤回路技術の構築を目指したものである。LSIの基本構成要素であるMOSFETをサブスレッショルド領域で動作させることで極低消費電力で回路システムを構築し、新規LSIアーキテクチャの開発、そして応用システムの開拓を行った。以下に、本研究実績の概要を述べる。<要素回路技術の構築>MOSFETをサブスレッショルド領域で動作させ、アナログ・ディジタル集積回路を構築するための基本的な要素回路技術の検討を行った。基準電流を生成するリファレンス回路の検討を行い、出力電流100nA(消費電力1.1uW)のリファレンスを生成することが可能である見通しを得た。また、電源電圧を高効率で降圧するDC-DCコンバータの検討を行った。1.5Vの外部電源を82%の高効率で分圧可能である見通しを得た。サブスレッショルド領域で動作するディジタル回路の基礎検討として、加算器の検討を行った。CMOS型、およびNMOSの2通りの加算器を検討し、電力と速度の間にトレードオフの関係が存在することを明確化した。<CMOSセンサアプリケーション>CMOSセンサアプリケーションとして、遠赤外線センサへの応用、ならびに品質保証期限モニタセンサの検討を行った。遠赤外線センサについては、サブスレッショルド領域のMOSFETの温度敏感性を利用することで、既存のセンサデバイス(ボロメータ等)と同等の温度検出感度を実現可能である見通しを得た。この技術をまとめ、特許申請を行った。また、品質保証期限もモニタセンサについては、適応可能な製品・商品の拡大を目指し、活性化エネルギーの拡大を行った。ディジタル回路技術を応用することにより、広範囲の活性化エネルギーの模擬が可能となることを示した。試作LSIを測定し、解析どおりの結果を得ることができ、様々な製品・商品の品質保証が可能である見通しを得た。
这项研究旨在为智能传感器LSI系统建立基本的电路技术,为无处不在的信息信息社会建立,该系统将在不久的将来实现。通过操作MOSFET,LSI的基本组件,该电路系统的构建具有极低的功耗,开发了新的LSI体系结构和开拓性应用系统。该研究结果的摘要如下所述。 <元素电路技术的构建>基本元素电路技术,用于在基板区域建立MOSFET并建立模拟数字集成电路。检查了生成标准电流的参考电路,并获得了前景,即可以生成输出电流100NA(功率消耗1.1UW)的参考。此外,还检查了电源电压高效的DC-DC转换器。 1.5V外电源的高效率为82%。作为在子温度区域运行的数字电路的基本研究,我们检查了其他设备。检查了CMOS类型和NMO,并澄清了权力与速度之间存在交易关系。 <CMOS传感器应用>作为CMOS传感器应用,我们检查了对FAR -INFRADER传感器的应用程序和质量保修期监视器传感器。对于远红外传感器,已经获得了基板区域中MOSFET的温度灵敏度,可以实现与现有传感器设备(ragometer等)等效的温度检测灵敏度。该技术已编译并申请了专利。此外,质量保修截止日期已扩大以监视传感器,旨在扩大适应性的产品和产品并扩大激活能量。数字电路技术的应用允许广泛的振兴能量。测量了原型LSI,获得结果作为分析,并获得了各种产品和产品的质量。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ultralow-Power Smart Temperature Sensor with Subthreshold CMOS Circuits
- DOI:10.1109/ispacs.2006.364717
- 发表时间:2006-12
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Ueno;T. Hirose;T. Asai;Y. Amemiya
- 通讯作者:K. Ueno;T. Hirose;T. Asai;Y. Amemiya
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- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K.Ueno;萩原淳史;T.Hirose;K.Ueno;A.Hagiwara;K.Ueno;T.Hirose;T.Hirose;T.Hirose;K.Ueno
- 通讯作者:K.Ueno
Ultralow-Power temperature-insensitive current reference circuit
超低功耗温度不敏感电流基准电路
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K.Ueno;萩原淳史;T.Hirose;K.Ueno;A.Hagiwara;K.Ueno;T.Hirose;T.Hirose;T.Hirose
- 通讯作者:T.Hirose
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