ナノワイヤーアレイ構造を用いたバリスティック磁気抵抗素子に関する研究

采用纳米线阵列结构的弹道磁阻元件研究

基本信息

  • 批准号:
    16760244
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.22万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は,バリスティック磁気抵抗効果(BMR)の要因の一つであるとされるナノ接合におけるスピン偏極率の理論的な研究,および,ナノ接合素子の作製と磁気抵抗の評価を行った.BMRの要因として,ナノ接合系におけるスピン偏極率の増大および接合部に形成させる狭い磁壁が拳げられる.今年度は第一原理計算を用いて,強磁性Niナノ接合アレイ構造の接合形状が電子状態に及ぼす影響について理論解析を進め,接合部におけるスピン偏極率および磁気モーメント分布を計算した.その結果,接合部ではバルクNiに比べて,大きなスピン偏極率が得られる可能性があること,また,接合部が外力により引き延ばす,もしくは,細長いワイヤ状にすることでさらに大きなスピン偏極率が得られる可能性を示唆した.また,接合の交換エネルギーの減少から,磁壁閉じこめが起こり得ることを明らかにした.実験的には,グラニュラー構造中間層を持つスピンバルブ素子を作製して,磁気抵抗の評価を行った.今年度は特に膜面垂直通電するための素子構造を中心に検討し,特別な微細加工を用いない微小接合形成方法を提案した.その結果,実効断面積の小さな素子を作製し,磁気抵抗比が向上した.また,中間層として準備したNi-SiO_2グラニュラー中間層の磁性,電気伝導に対するNi量の相関関係を明らかにし,ナノ接合を作製するために必要Ni量を見積もった.
今年,我们对纳米结中的自旋极化率(被认为是弹道磁阻效应(BMR)背后的因素之一)进行了理论研究,并制作了纳米结元件并评估了其磁阻的影响因素:纳米结系统中自旋极化的增加以及结处形成的狭窄畴壁。今年,我们将进行第一性原理计算。我们对铁磁Ni纳米结阵列结构中结形状对电子态的影响进行了理论分析,并计算了结处的自旋极化和磁矩分布。结果,我们发现与块体Ni相比,可以获得较大的自旋极化比,接头可受外力拉伸或拉长。有人提出,通过形成细线可以获得更大的自旋极化率。还发现,由于结的交换能的降低,可能会发生畴壁限制。实验上,发现颗粒结构We制作了带有中间层的自旋阀器件并评估了其磁阻。今年,我们将重点研究垂直于薄膜表面传导电流的器件结构。我们主要研究并提出了一种不需要特殊微加工的微结形成方法。结果,我们制造了有效截面小的元件并提高了磁阻比。此外,我们开发了一种不需要特殊微加工的微结形成方法。我们阐明了镍含量与颗粒中间层的磁性和电导率之间的关系,并估算了制造纳米结所需的镍含量。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Influence of the spacing between master and slave media on magnetic contact duplication characteristics
主从介质间距对磁接触复制特性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Yokouchi;Y.Suzaki;K.Nakagawa;et al.;村田剛史;岡見智史;小峰啓史;Takeshi Murata;Satoshi Okami;Takashi Komine;富川智史;太田篤志;和泉昭彦;安田浩子;M.Nishikawa;A.Izumi;M.Nishikawa;長尾信;岡見智史;西川正一;村田剛史;T.Murata;小峰啓史;安田浩子;村田剛史;和泉昭彦;若松哲史;岡見智史;Satoshi Tomikawa;Atsushi Ohta;Akihiko Izumi;Hiroko Yasuda;Masakazu Nishikawa;Akihiko Izumi;Masakazu Nishikawa;Makoto Nagao;Satoshi Okami;Masakazu Nishikawa;Takeshi Murata;Takeshi Murata;Takashi Komine;Hiroko Yasuda;Takeshi Murata;Akihiko Izumi;Satoshi Wakamatsu;Satoshi Okami;太田篤史;杉田龍二;M.Nagao;安田浩子;太田篤志;和泉昭彦;富川智史;永利賢;Ryuji Sugita
  • 通讯作者:
    Ryuji Sugita
Performance and possibility on high density bits recording by patterned master magnetic duplication
通过图案化主磁复制进行高密度位记录的性能和可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Nagao;H.Kubota;M.Nishikawa;T.Yasunaga;T.Komine;R.Sugita
  • 通讯作者:
    R.Sugita
Micromagnetic calculation of the magnetization process in nanocontacts
纳米接触磁化过程的微磁计算
Reduction of contact resistance at terminations of bismuth wire arrays
减少铋线阵列末端的接触电阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Hasegawa;Y.Ishikawa;H.Shirai H.Morita;A.Kurokouchi;K.Wada;T.Komine;H.Nakamura
  • 通讯作者:
    H.Nakamura
Aspect ratio dependence of magnetoresistivity in polycrystalline bismuth microwire arrays
  • DOI:
    10.1063/1.2432876
  • 发表时间:
    2007-02-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Hasegawa, Yasuhiro;Nakano, Hirofumi;Nakamura, Hiroaki
  • 通讯作者:
    Nakamura, Hiroaki
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

小峰 啓史其他文献

磁性トポロジカル絶縁体の非対称表面を利用した両極性伝導型熱電素子
使用磁性拓扑绝缘体的非对称表面的双极导电热电元件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    千葉 貴裕;高橋 三郎;小峰 啓史
  • 通讯作者:
    小峰 啓史
時限方式における磁性トポロジカル絶縁体の電圧トルク磁化反転
磁拓扑绝缘体的电压-扭矩磁化强度定时反转
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    千葉 貴裕;小峰 啓史
  • 通讯作者:
    小峰 啓史
界面ディラック電子に起因した磁気異方性に基づく電圧制御磁化反転
基于界面狄拉克电子引起的磁各向异性的压控磁化反转
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    千葉 貴裕;小峰 啓史
  • 通讯作者:
    小峰 啓史
高圧固体電気化学法の開発
高压固态电化学方法的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤岡 正弥;岩﨑 秀;フレルバータル ザガルツェム;小峰 啓史;森戸 春彦;メルバート ジェーム;小野 円佳;西井 準治
  • 通讯作者:
    西井 準治
磁性トポロジカル絶縁体素子の電圧制御磁化反転における書き込みエラー率の数値解析
磁拓扑绝缘体元件压控磁化反转写入错误率的数值分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小峰 啓史;綿引 詩門;千葉 貴裕
  • 通讯作者:
    千葉 貴裕

小峰 啓史的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('小峰 啓史', 18)}}的其他基金

磁性トポロジカル絶縁体素子の界面制御による低消費電力動作の実現
通过磁性拓扑绝缘体元件的接口控制实现低功耗运行
  • 批准号:
    24K00916
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Interfacial structure control for domain wall memories with low-power consumption
低功耗畴壁存储器的界面结构控制
  • 批准号:
    20H02196
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

Study of large magnetoresistance effect in quantum cross devices
量子交叉器件中大磁阻效应的研究
  • 批准号:
    21760001
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Magnetotransport Studies of the carbon nanotubes by contactless method
非接触式碳纳米管磁输运研究
  • 批准号:
    20740183
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
High-sensitive Terahertz technology using semiconductor quantum nanostructures
使用半导体量子纳米结构的高灵敏度太赫兹技术
  • 批准号:
    19560361
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of spin motion in DOS-controlled single-wailed carbon nanotubes
DOS控制的单壁碳纳米管中自旋运动的控制
  • 批准号:
    17310060
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スピンバルブ型バリスティックMR薄膜の作製
自旋阀弹道MR薄膜的制备
  • 批准号:
    15656078
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了