高度に組成・結晶構造制御したPLZTエピタキシャル薄膜のMOCVD法による合成

采用MOCVD法合成成分和晶体结构高度可控的PLZT外延薄膜

基本信息

  • 批准号:
    03855156
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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  • 通讯作者:
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