Functionalization of elecroceramics by grading and surface modification

通过分级和表面改性实现电陶瓷的功能化

基本信息

项目摘要

Nickel(II) dithiocarbamate complexes derived from amino acids (HAlaOMe,HValOMe,HGlyOEt,HPheOMe, and HLeuOMe) or ethanolamine were prepared. Furthermore, formation of a crystalline membrane on the substrates was examined using these complexes. Substrates employed in this study were silicon wafer (with and without surface oxide layer), copper, titanium, nickel, copper oxide, glass, alumina. The procedure to growth a crystalline membrane is as following ; to a saturated solution of the complex, the substrates were immerced for a day, and crystal deposition was observed to be concrete. As a result, all the complexes did not crystallize onto the mirror surface of silicon wafer. In addition, the complex composed from amino alcohol separated a crystal on no basal plate. The complexes derived from aminoalcohol cannot give crystals on the any surfaces of the sustrates. On the other hand, crystalline membranes on the surface of the substrates other than silicon can be grown from some complexes given from amino acids. For example, complexes from Val and Ala formed uniform crystalline membranes on metal surfaces, but they should give only crystalline islands on the surface of any oxides. On the contrary the Gly derivative formed uniform membrane crystal on copper oxide substrates, but it can not form crystals on the metal substrates. Thus, the Gly derivative should offer a surface recognition ability.After the etching of the silicon wafer, on which no crystalline membrane can be grown from all the complexes used in this study, crystal deposition was able to be recognized in the kink or terrace division. These suggest that a difference of surface energy affects nuclear formation of a crystals. These complex comparatively disintegrates at low temperature, and the use to patterning to the ceramics surface which used specific crystal deposition from finding what can form ceramics crystal to ceramics surface can be expected.
制备了氨基酸(halaome,hvalome,hglyoet,hpheome和hleuome)或乙醇胺的镍含量(II)。此外,使用这些复合物检查了底物上晶状膜的形成。这项研究中使用的底物是硅晶片(有和没有表面氧化物层),铜,钛,镍,氧化铜,玻璃,氧化铝。生长的晶体膜的过程如下。在饱和溶液中,将底物固定一天,并观察到晶体沉积是混凝土的。结果,所有复合物都没有结晶到硅晶片的镜面上。另外,由氨基醇组成的复合物在没有基底板上分离了晶体。衍生自氨基醇的复合物不能在同名的任何表面上给出晶体。另一方面,可以从氨基酸给出的一些络合物中生长出底物表面上的结晶膜。例如,来自Val和ALA的复合物在金属表面上形成均匀的结晶膜,但它们应仅在任何氧化物的表面上给出结晶岛。相反,在铜氧化铜底物上形成的胶囊形成均匀的膜晶体,但不能在金属底物上形成晶体。因此,Gly衍生物应具有表面识别能力。在蚀刻硅晶片的蚀刻后,从本研究中使用的所有复合物中都无法在其上种植任何晶体,晶体沉积可以在脉动或露台分裂中识别。这些表明表面能的差异会影响晶体的核形成。这些复合物在低温下相对分解,并且可以预期使用特定的晶体沉积,从而可以预期使用特定的晶体沉积,从而可以期望发现什么可以形成陶瓷晶体到陶瓷表面。

项目成果

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R.Nomura, K.Fujiwara: "FORMATION OF 3-D CHANNEL ON SELF-ORGANIZATION OF Ni(II) DITHIOCARBAMATE COMPLEXES CONTAINING AMINO ACID FRAGMENTS"Trans.Mater.Res.Soc.Jpn.. (印刷中).
R.Nomura、K.Fujiwara:“含有氨基酸片段的二硫代氨基甲酸镍 (II) 复合物自组织的 3-D 通道的形成”Trans.Mater.Res.Soc.Jpn..(出版中)。
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NOMURA, R., NAKAI, N.: "Transition Metal Sulfide Thin Layers Using Dithiocarbamate Complexes by Single-source MOCVD Technique"Trans.Mater.Res.Soc.Jpn.. 28-3. 1287-1290 (2003)
NOMURA, R., NAKAI, N.:“通过单源 MOCVD 技术使用二硫代氨基甲酸盐配合物形成过渡金属硫化物薄层”Trans.Mater.Res.Soc.Jpn.. 28-3。
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Growth and characterization of transition metal sulfide thin layers using dithiocarbamate complexes by single-source MOCVD technique. Nickel and cobalt sulfide thin layers
通过单源 MOCVD 技术使用二硫代氨基甲酸盐复合物进行过渡金属硫化物薄层的生长和表征。
NOMURA, R., HAMAGUCHI, S.: "Intermolecular Interaction of Transition Metal Complexes Containing of Amino Acid Moieties"Trans.Mater.Res.Soc.Jpn.. 28-3. 549-552 (2003)
NOMURA, R., HAMAGUCHI, S.:“含有氨基酸部分的过渡金属配合物的分子间相互作用”Trans.Mater.Res.Soc.Jpn.. 28-3。
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Growth and characterization of transition metal sulfide thin layers using dithiocarbamate complexes by single-source MOCVD technique
通过单源 MOCVD 技术使用二硫代氨基甲酸盐配合物生长和表征过渡金属硫化物薄层
共 8 条
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