AFM-induzierte Nanostrukturierung von Silizium-Oberflächen

AFM 诱导的硅表面纳米结构

• 批准号: 5317076
• 负责人: Professor Dr. Patrik Schmuki
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Korrosion und Oberflächentechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5317076?language=en
• 关键词: AFM; induzierte; Nanostrukturierung; von; Silizium

Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung der selektiven elektrochemischen Abscheidung von Metallen an mechanisch induzierten Defekten auf Halbleiteroberflächen. Zu diesem Zweck werden mit einer AFM-Spitze nanoskalige Defekte in einer Silizium-Oberfläche durch Abrastern der Oberfläche unter erhöhtem Druck auf die Spitze generiert. Die Reaktivität und Selektivität der so erzeugten mechanischen Defekte für die elektrochemische Abscheidung von Metallen wird anschließend untersucht. Bisherige Ergebnisse zeigen deutlich, daß die unter kathodischer Polarisierung elektronisch blockierende Oberfläche von p-Silizium durch die Defektinduzierung eine Aktivierung für die Abscheidung von Metallen erfährt. Eine bedeutend höhere Selektvität wird erreicht, wenn der AFM-Kratzvorgang an einer oxidbedeckten Oberfläche durchgeführt wird, da der auf der Silizium-Oberfläche vorhandene native Oxidfilm (native oxid layer, NOL) isolierend für elektrochemische Reaktionen wirkt. Diese Eigenschaft ermöglicht es zusätzlich, den Oxidfilm als Maske für selektive Metallabscheidung zu benutzen. Durch diesen neuartigen Ansatz kann bei Variation der Dicke des Oxidfilms und der Optimierung der elektrochemischen Parameter die Erzeugung von nanoskaligen metallischen Nanostrukturen auf Halbleitern direkt elektrochemisch erfolgen.

Ziel des Vorhabens 是金属金属选择性电气化学吸收的Untersuchung 和机械防卫 auf Halbleiteroberflächen。 Unter erhöhtem Druck auf die Spitze genericert。电子块的上层是硅化物的防御和金属吸收的活动。原生氧化膜（原生氧化层，NOL） isolierend für elektrochemische Reaktionen wirkt。贝努岑。