スピン制御による半導体超構造の新展開
使用自旋控制的半导体上部结构的新进展
基本信息
- 批准号:09244101
- 负责人:
- 金额:$ 13.44万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
- 财政年份:2000
- 资助国家:日本
- 起止时间:2000 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
特定領域研究「スピン制御による半導体超構造の新展開」では、平成9-11年度の3年間、スピン物性を顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立とそのスピン物性の解明・制御、およびそれらのデバイス応用の観点から4つの研究班を組織し研究を進めた。特定領域研究が終了した本年度、総括班は、(1)特定領域研究の研究成果を発表し世界に情報発信をするとともに、内外の研究者が研究成果を発表することができる国際会議を開催、(2)和文の研究報告書のとりまとめ、(3)英文の研究報告書と論文集の作成、(4)報告書の主要部分のインターネット上への公開を行った。具体的には、以下の通りである。平成12年9月13-15日の3日間、仙台国際センターにおいて17カ国から162名(うち69名は海外から)の参加者を集め、「半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)」と題して国際会議を開催した。会議では、17件の招待講演を含む132件の論文が発表された。プロシーディングスは学術雑誌Physica Eに発表される。会議中に海外からの参加者の要請で急遽第2回目の会議を2002年にドイツ・ウルツブルグ大学で開催する運びとなった。報告書に関しては、和文171ページ、英文700ページ(論文別刷含む)の2冊をまとめ、主要部分をhttp://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/japanese/indexJ.htm及びhttp://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/english/indexE.htmにて公開した。本特定領域研究では、Nature,Scienceに4件の論文を発表したのをはじめ、半導体中のスピン応用に関する多くの知見を得た。米国では本領域研究に範を取り、新たにSpins in Semiconductorsなるプロジェクトが10倍の研究費規模で開始された。このように本領域は「半導体中のスピン」を一つの領域として国内外において確立することに成功した。同時に、本特定領域研究が先駆けて開拓した領域において、世界的にリードし続ける組織的対応が求められている。
在“自旋控制半导体超结构的新进展”这一特定领域研究中,我们从1997年到1997年花了三年的时间,建立了具有显着自旋特性的半导体超结构的制造方法,阐明并控制了其自旋特性,并组织了四次研究。研究小组并从应用这些设备的角度进行了研究。今年,当特定领域研究完成后,总务委员会将(1)公布特定领域研究的研究成果并向世界传播信息,并召开国内外研究人员可以报告的国际会议他们的研究成果;(2)用日语编写了研究报告,(3)用英语创建了研究报告和论文集,以及(4)在互联网上发布了报告的主要部分。具体如下。 2000年9月13日至15日三天,来自17个国家的162名与会者(其中海外69名)齐聚仙台国际中心,参加“半导体中自旋相关现象的物理与应用国际研讨会”。举行了PAASPS2000)”。会议共发表论文132篇,其中特邀报告17篇。论文集将发表在学术期刊 Physica E 上。会议期间应海外参会者的要求,于2002年在德国乌尔茨堡大学匆忙召开了第二次会议。该报告分为两卷,日文171页,英文700页(包括纸质重印本),主要部分可参见http://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/japanese/indexJ .htm 并发布于 http://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/english/indexE.htm。在这一特定领域的研究中,我们在《自然》、《科学》上发表了四篇论文,并获得了有关自旋在半导体中应用的大量知识。美国也效仿该领域的研究,启动了一个名为“Spins in Semiconductors”的新项目,研究经费增加了10倍。至此,该领域成功地在国内外确立了“半导体自旋”领域的地位。与此同时,需要一种组织响应,在该特定领域研究开创的领域继续引领世界。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
大野 英男其他文献
細線加工した(001)GaAs/AlGaAs量子井戸における動的核スピン分極
细线加工的 (001)GaAs/AlGaAs 量子阱中的动态核自旋极化
- DOI:
- 发表时间:
2012 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石原 淳;大野 裕三;大野 英男 - 通讯作者:
大野 英男
dc Bias Voltage Dependence of Magnetic Anisotropy in CoFeB/ MgO Investigated by Electric Field-Induced Ferromagnetic Resonance
通过电场感应铁磁共振研究 CoFeB/ MgO 中磁各向异性的直流偏置电压依赖性
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
金井 駿;Gajek Martin;Worledge Daniel ;松倉 文礼;大野 英男 - 通讯作者:
大野 英男
エピタキシャルMn-Sn合金薄膜の異常ホール効果の組成、プロセス温度依存性
外延Mn-Sn合金薄膜中反常霍尔效应的成分和工艺温度依赖性
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
ユン ジュヨン;竹内 祐太朗;伊藤 隆一;山根 結太;金井 駿;深見 俊輔;大野 英男 - 通讯作者:
大野 英男
核電気共鳴を用いたGaAs/AlGaAs(110)量子井戸中における核スピンのコヒーレント操作
利用核电共振对 GaAs/AlGaAs(110) 量子阱中核自旋进行相干操控
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石原 淳;小野 真証;大野 裕三;大野 英男 - 通讯作者:
大野 英男
ダブルフリー層超常磁性磁気トンネル接合素子の電圧依存性
双自由层超顺磁隧道结器件的电压依赖性
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
大田 陸斗;小林 奎斗;早川 佳祐;金井 駿;K. Y. Camsari;大野 英男;深見 俊輔 - 通讯作者:
深見 俊輔
大野 英男的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('大野 英男', 18)}}的其他基金
Spintronics-Based Hardware Paradigm for Artificial Intelligence
基于自旋电子学的人工智能硬件范例
- 批准号:
17H06093 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体耦合量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
- 批准号:
08217204 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
スピン制御による半導体超構造の新展開
使用自旋控制的半导体上部结构的新进展
- 批准号:
08355025 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体耦合量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
- 批准号:
07227203 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体総合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体集成量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
- 批准号:
06238202 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
III-V族希薄磁性半導体ヘテロ接合における磁気秩序と電気伝導
III-V族稀磁半导体异质结中的磁序和电导
- 批准号:
05650001 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
- 批准号:
05211202 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
- 批准号:
04227202 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
3-5族希薄磁性半導体の強磁性秩序と電気伝導・光物性
稀3-5族磁性半导体的铁磁序和电导/光学性质
- 批准号:
04650001 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
- 批准号:
03243202 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
相似海外基金
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
基于半导体的拓扑超导自旋电子学:创建下一代量子信息基础设施
- 批准号:
23K17324 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Verification of tristability of nuclear spin polarization in single quantum dot and construction of a unified model including nuclear quadrupole effect
单量子点核自旋极化三稳态验证及核四极效应统一模型构建
- 批准号:
21H01745 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
単一量子ナノ構造での異常ハンル効果に基づく核スピンの光制御と応用
单量子纳米结构中基于反常Hanl效应的核自旋光学控制及其应用
- 批准号:
20J10446 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Spin dynamics and realization of a spin laser in (110) semiconductor quantum structures
(110)半导体量子结构中的自旋动力学和自旋激光器的实现
- 批准号:
19K05243 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on novel physical properties of quantum materials with multi-orbital electron systems
多轨道电子系统量子材料新物理性质研究
- 批准号:
19H01837 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 13.44万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)