スピン制御による半導体超構造の新展開

使用自旋控制的半导体上部结构的新进展

基本信息

  • 批准号:
    08355025
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

半導体中のキャリアや磁性イオンのスピン間の交換相互作用に基づくさまざまな物性は、これまで応用の表舞台にでることはなかった。これは、材料技術、超構造作製技術が未発達であったので、電子のもつスピンという自由度を積極的に制御し利用することが出来なかったためである。しかしここ数年で状況は大きく変化した。II-VI族・III-V族希薄磁性半導体とその超構造が作製可能となり、磁性不純物添加半導体構造や磁性体/半導体ヘテロ構造も実現された。この結果半導体超構造のスピンを理解して積極的に制御し、応用を考えることが可能となりつつある。本研究では、半導体超構造におけるスピンに関する材料、超構造作製、測定、理論の研究を総合的有機的に結びつけることによって、(1)スピン物性の顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立し、(2)半導体超構造におけるスピン物性を解明して、(3)スピンという新しい自由度を利用した半導体超構造の応用の可能性を明らかにする、ことを目的とする重点領域研究のための企画調査を行った。第1回目の研究会を平成8年9月26-27に仙台で行い、予定されている計画研究の内容を発表すると共に有機的に研究を推進するための協力関係について話し合った。さらに、一般に公開された第2回の研究会を平成9年1月27-28日仙台国際センターにて開催し、予定されている計画研究メンバのみならず広く国内・国外の研究者の参加を得て、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、磁性不純物添加半導体、新しい磁性半導体の開発、メゾスコピック領域も含めた超構造のスピン物性についての研究発表と研究討論を行った。第3回の研究会は平成9年3月13日に行われ、重点領域の公募研究について討論を行った。
基于载体和磁离子之间的交换相互作用的各种物理特性以前在应用领域尚未出现。这是因为材料技术和上层建筑制造技术的发达欠发达,并且无法积极控制和利用电子自由度。但是,在过去的几年中,情况发生了巨大变化。 II-VI和III-V组稀释的磁性半导体及其上层结构已成为可能,并且还实现了磁性杂质掺杂的半导体结构和磁/半导体异质结构。结果,已经有可能了解半导体上层建筑的旋转,主动控制它们并考虑应用程序。在这项研究中,我们对材料的研究,上层结构制造,测量和理论进行了计划和研究,在半导体超结构中与旋转有关,是有机有机的,以及(1)建立一种制造半导体超结构的方法,用于制造出杰出的旋转特性的物理性能,(2)阐明了旋转物理性质,(2)统一性的Supersibers supersibers supersitiber supersibers supersitiber supersitiber supersitiber supersitiber supersitiber supersitiber supersitiber supersitiber insicic supersitiber supersitiber and superstiment and superstiment,以及(2)(2)(2)33使用新的自由度的半导体上层建筑称为旋转。第一个研究小组于1996年9月26日至27日在仙台举行,并提出了计划研究的内容,并讨论了合作以有机地促进研究。 Furthermore, the second study group, which was open to the public, was held at Sendai International Center on January 27-28, 1997, and with the participation of not only planned research members but also researchers from Japan and abroad, they presented and discussed research on the development of Group III-V compound semiconductors, Group II-VI compound semiconductors, magnetic impurity-doped semiconductors, new magnetic semiconductors, and the development of上部结构自旋特性,包括介绍区域。第三个研究小组于1997年3月13日举行,并就关键领域的公开招募研究进行了讨论。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Iye: "Magnetotransport in modulated magnetic fields" Physica B. 227. 122-126 (1996)
Y.Iye:“调制磁场中的磁输运”Physica B. 227. 122-126 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Oka: "Excitonic properties of nanostructure semimagnetic semiconductors" J.Luminescence. 70. 35-47 (1996)
Y.Oka:“纳米结构半磁性半导体的激子特性”J.Luminescent。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Yamamoto: "p-type doping of the group V elements in CuInS_2" Jpn.J.Appl.Physics. 35. L1562-L1565 (1996)
T.Yamamoto:“CuInS_2 中 V 族元素的 p 型掺杂”Jpn.J.Appl.Physics。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Soo: "III-V diluted magnetic semiconducotr : Substitutional doping of Mn in InAs" Physical Review B. 53. 4905-4909 (1996)
Y.Soo:“III-V 稀释磁半导体:InAs 中锰的替代掺杂”物理评论 B. 53. 4905-4909 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Shen: "(Ga, Mn) As/GaAs diluted megnetic semiconductor superlattice structures prepared by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys. 36. L73-L75 (1997)
A.Shen:“分子束外延制备的(Ga,Mn)As/GaAs稀磁半导体超晶格结构”Jpn.J.Appl.Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

大野 英男其他文献

細線加工した(001)GaAs/AlGaAs量子井戸における動的核スピン分極
细线加工的 (001)GaAs/AlGaAs 量子阱中的动态核自旋极化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石原 淳;大野 裕三;大野 英男
  • 通讯作者:
    大野 英男
dc Bias Voltage Dependence of Magnetic Anisotropy in CoFeB/ MgO Investigated by Electric Field-Induced Ferromagnetic Resonance
通过电场感应铁磁共振研究 CoFeB/ MgO 中磁各向异性的直流偏置电压依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    金井 駿;Gajek Martin;Worledge Daniel ;松倉 文礼;大野 英男
  • 通讯作者:
    大野 英男
エピタキシャルMn-Sn合金薄膜の異常ホール効果の組成、プロセス温度依存性
外延Mn-Sn合金薄膜中反常霍尔效应的成分和工艺温度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ユン ジュヨン;竹内 祐太朗;伊藤 隆一;山根 結太;金井 駿;深見 俊輔;大野 英男
  • 通讯作者:
    大野 英男
核電気共鳴を用いたGaAs/AlGaAs(110)量子井戸中における核スピンのコヒーレント操作
利用核电共振对 GaAs/AlGaAs(110) 量子阱中核自旋进行相干操控
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石原 淳;小野 真証;大野 裕三;大野 英男
  • 通讯作者:
    大野 英男
ダブルフリー層超常磁性磁気トンネル接合素子の電圧依存性
双自由层超顺磁隧道结器件的电压依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大田 陸斗;小林 奎斗;早川 佳祐;金井 駿;K. Y. Camsari;大野 英男;深見 俊輔
  • 通讯作者:
    深見 俊輔

大野 英男的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('大野 英男', 18)}}的其他基金

Spintronics-Based Hardware Paradigm for Artificial Intelligence
基于自旋电子学的人工智能硬件范例
  • 批准号:
    17H06093
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
スピン制御による半導体超構造の新展開
使用自旋控制的半导体上部结构的新进展
  • 批准号:
    09244101
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体耦合量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
  • 批准号:
    08217204
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体耦合量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
  • 批准号:
    07227203
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体総合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果
化合物半导体集成量子阱结构中的量子电子输运现象和约瑟夫森效应
  • 批准号:
    06238202
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
III-V族希薄磁性半導体ヘテロ接合における磁気秩序と電気伝導
III-V族稀磁半导体异质结中的磁序和电导
  • 批准号:
    05650001
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
  • 批准号:
    05211202
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
  • 批准号:
    04227202
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
3-5族希薄磁性半導体の強磁性秩序と電気伝導・光物性
稀3-5族磁性半导体的铁磁序和电导/光学性质
  • 批准号:
    04650001
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用
清洁化合物半导体表面与有机金属之间的相互作用
  • 批准号:
    03243202
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

X線精密分光と多波長観測で測定する巨大ブラックホールのスピン
通过精确 X 射线光谱和多波长观测测量超大质量黑洞的自旋
  • 批准号:
    23K20239
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スピン流伝播に関する直接計測法の開発とその学理の総合的発展
自旋电流传播直接测量方法的发展及其理论的综合发展
  • 批准号:
    23K21105
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超伝導体の内在的スピン担体によるスピン流伝搬・変換現象
超导体中本征自旋载流子引起的自旋电流传播和转换现象
  • 批准号:
    23K22434
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スピン軌道結合系イリジウム酸化物の逐次新奇相転移と電流誘起交差相関物性の解明
阐明自旋轨道耦合氧化铱的新型连续相变和电流感应互相关特性
  • 批准号:
    23K22454
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学,以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
  • 批准号:
    23K22796
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了