一次元遷移金属錯体における強い電子格子相互作用、電子間相互作用と光物性

一维过渡金属配合物中的强电子晶格相互作用、电子相互作用和光学性质

基本信息

批准号：
11136210
负责人：
岡本博
金额：
$ 1.09万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11136210/
关键词：
遷移金属錯体電子相関電子格子相互作用

项目摘要

・強相関一次元金属錯体系の光励起状態の研究ハロゲン架橋Ni錯体について、電場変調反射スペクトルの測定を行った。様々なNi錯体に共通して、最低励起子の高エネルギー側に一光子遷移禁制な励起子準位を観測した。この錯体系について三次の非線型光学定数を見積もったところ、10e-4から10e-8esuという大きな値であることがわかった。この値は、従来非線形光学定数が大きいと言われていたポリジアセチレンやポリシランのそれに比べて三桁以上大きい。また、一次元の銅酸化物についても、同様な測定から大きな三次の非線型光学定数(10e-8esu)を観測した。以上から巨大な非線形光学応答は、強相関一次元系に共通した特徴であると結論された。さらに、光伝導の励起エネルギー依存性の測定を行って、電場変調反射測定の結果から求められた励起準位構造と比較した。バンド幅が大きい物質ほど光伝導が電荷移動吸収帯の低エネルギー領域から立ちあがり、また奇と偶の電荷移動励起状態の分裂幅が小さくなることがわかった。このことは、バンド幅の増加とともに励起子効果が減少すると考えて定性的には理解できる。また、Ni-C1系では励起子発光が観測された。この発光の励起エネルギー依存性についても測定したが、その結果は、発光過程とキャリアヘの解離過程が競合していることを示している。・一次元遷移金属錯体における価数不安定性と相転移の研究ハロゲン架橋複核Pt錯体、R4[Pt2(POP)4I]について、カウンターイオンRを変化させた様々な錯体の偏光反射、ラマン、帯磁率を測定し、これらが、モットハバード相、電荷分極相、スピンパイエルス相の三つの相をとることを明らかにした。

・强相关一维金属络合物体系的光激发态研究测量了卤素桥接的Ni络合物的电场调制反射光谱。与各种镍配合物一样，我们在最低激子的高能侧观察到了单光子跃迁所禁止的激子能级。当我们估计这个复杂系统的三阶非线性光学常数时，我们发现它是一个10e-4到10e-8esu的大值。该值比传统上被认为具有大非线性光学常数的聚丁二炔和聚硅烷大三个数量级以上。此外，通过类似的测量，还观察到一维氧化铜具有较大的三阶非线性光学常数（10e-8esu）。综上所述，巨大的非线性光学响应是强相关一维系统的共同特征。此外，我们测量了光电导的激发能量依赖性，并将其与根据电场调制反射率测量结果确定的激发能级结构进行比较。研究发现，材料的带宽越宽，光电导从电荷转移吸收带的较低能量区域上升的越多，奇数和偶数电荷转移激发态之间的分裂宽度越小。通过考虑激子效应随着带宽的增加而减少，可以定性地理解这一点。此外，在Ni-C1体系中观察到激子发射。还测量了该发射的激发能量依赖性，结果表明发射过程和解离成载流子的过程相互竞争。・一维过渡金属配合物的价态不稳定性和相变研究关于卤桥双核Pt配合物R4[Pt2(POP)4I]、偏振光反射、拉曼、不同抗衡离子R的各种配合物的磁化率我们测量了它们，发现它们具有三个相：莫特-哈伯德相、电荷极化相和自旋-佩尔斯相。